公开(公告)号：CN102621182B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210106835.6

申请日：2012-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林增明 ,  王润声 ,  邹积彬 ,  李佳 ,  许晓燕

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R1、R2，测得一维到三维边界热阻R1-3。本方法可以为纳米尺度器件散热结构的设计和关键路径的研究给出参数依据，并且为今后热阻网络和器件热效应的模拟有直接帮助。

公开(公告)号：CN105446943A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410483748.1

申请日：2014-09-19

Applicant: 北京大学 ,  北大方正集团有限公司 ,  北京北大方正电子有限公司

Inventor： 李佳 ,  丁兴邦

IPC: G06F17/21 ,  G06F17/30

Abstract: 本发明涉及网络媒体新闻管理发布技术领域，特别是涉及一种基于PDF反解的新闻管理发布方法及装置。本发明所采用的技术方案为，将获取的PDF文件进行反解得到多个新闻素材，然后将所述新闻素材进行分类后存储到数据库中，选取需要发布的新闻素材将其发布到网络媒体平台上。本发明提供的一种基于PDF反解的新闻管理发布方法及装置，通过采用经过编辑和审核之后的报刊PDF文件进行反解得到新闻素材，进行分类存储之后发布到网络媒体平台上。可以将传统报业的纸质新闻媒体产品进行二次拓展和延伸，在已经审核校验通过的基础上将见报的新闻快速发布到网络媒体平台上，不但保证了所发布新闻的严肃性，同时也节省了大量时间和人力成本。

公开(公告)号：CN103292747B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310187691.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李佳 ,  黎明 ,  樊捷闻 ,  杨远程 ,  宣浩然

IPC: G01B11/30

Abstract: 本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置，装置包括：显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备，将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧，光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光；收集经过散射的光束，将光束转化为电信号输出；根据该电信号计算得到表面粗糙度。本发明的方法解决了其他测量仪器无法测量垂直侧墙粗糙度这一问题，有利于半导体制备工艺中纳米线条制备的表征，对集成电路制备工艺研究有重要意义。本发明的装置结构简单，成本低。测量系统组成仪器简单易购买，光学系统测量，无需使用探针，没有消耗配件，成本相对较低。

公开(公告)号：CN102832133A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210313475.7

申请日：2012-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  樊捷闻 ,  许晓燕 ,  李佳 ,  王润声

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立双栅FinFET，而且整个工艺流程完全与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单、方便、周期短的特点，大大节省了硅片的成本。且采用本发明制备形成的独立双栅FinFET场效应晶体管，能够很好的抑制短沟道效应，并通过独立双栅器件特有的多阈值特点进一步降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN105446943B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201410483748.1

申请日：2014-09-19

Applicant: 北京大学 ,  北大方正集团有限公司 ,  北京北大方正电子有限公司

Inventor： 李佳 ,  丁兴邦

IPC: G06F17/21 ,  G06F17/30

Abstract: 本发明涉及网络媒体新闻管理发布技术领域，特别是涉及一种基于PDF反解的新闻管理发布方法及装置。本发明所采用的技术方案为，将获取的PDF文件进行反解得到多个新闻素材，然后将所述新闻素材进行分类后存储到数据库中，选取需要发布的新闻素材将其发布到网络媒体平台上。本发明提供的一种基于PDF反解的新闻管理发布方法及装置，通过采用经过编辑和审核之后的报刊PDF文件进行反解得到新闻素材，进行分类存储之后发布到网络媒体平台上。可以将传统报业的纸质新闻媒体产品进行二次拓展和延伸，在已经审核校验通过的基础上将见报的新闻快速发布到网络媒体平台上，不但保证了所发布新闻的严肃性，同时也节省了大量时间和人力成本。

公开(公告)号：CN103151269B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201310103543.1

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方法实现，能够很容易地整合到工艺流程中，并且在较短沟道长度条件下，仍然能够保持较小的泄漏电流，从而降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN102636477B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210114792.6

申请日：2012-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林增明 ,  王润声 ,  邹积彬 ,  李佳 ,  许晓燕

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种由于维度突变引起的一维到三维边界热阻的测试方法，本发明利用由悬空的纳米线连接的长方体A和长方体B组成的测试结构，实现对材料一维到三维由于维度突变而引起的边界热阻进行测试，对纳米尺度器件散热结构的设计和关键路径的研究给出了直接的指导作用，并且为今后热阻网络和器件热效应的模拟提供了参数依据。

公开(公告)号：CN103151269A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310103543.1

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方法实现，能够很容易地整合到工艺流程中，并且在较短沟道长度条件下，仍然能够保持较小的泄漏电流，从而降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN102768956A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210228042.1

申请日：2012-07-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李佳 ,  黎明 ,  张耀凯 ,  许晓燕

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法，其步骤包括：在衬底上淀积阻挡层和牺牲层；在牺牲层上涂光刻胶，并定义线条的光刻图形；采用干法刻蚀方法将光刻图形转移至牺牲层；淀积侧墙材料层，并采用干法刻蚀方法形成侧墙；湿法腐蚀侧墙内的牺牲层，形成侧墙掩膜层；利用侧墙掩膜层，通过干法刻蚀将线条图形转移至衬底上，得到细线条。本发明结合了侧墙技术及湿法腐蚀技术，避免了使用电子束光刻、高温氧化等工艺，可获得具有小的边缘粗糙度的细线条。

公开(公告)号：CN103219242B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310103272.X

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2252 ,  H01L21/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。