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公开(公告)号：CN102315170B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110138735.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L21/311 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。
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公开(公告)号：CN102509697A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110339762.0
申请日：2011-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L29/0676
Abstract: 本发明公开了一种制备超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法将掩膜阻挡氧化及分步氧化工艺相结合来得到悬空超细线条。制备出的悬空超细线条直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确地控制在20nm，且干法氧化速度较慢，所以对最终细线条的尺寸可以得到精确地控制；同时利用此方法制备超细线条，成本低，可行性高。
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公开(公告)号：CN102221566A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110079809.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法，具体包括：构建一种特殊的测试结构；通过直流方法测出测试结构中样品2(Y2)和样品1(Y1)的整体热阻之差；计算材料A和材料B之间的边界热阻；改变输入直流电源的输入功率，重复上述步骤共N次，得到N个边界热阻，取这N个边界热阻的算术平均值作为材料A和材料B的边界热阻。本发明所提供的方法能够非常简便而且有效地测试出不同材料薄层之间的边界热阻，对仪器设备要求简单，且方便易操作，测试成本低廉，适用范围广泛，其测试结果对半导体器件的设计有直接的指导作用。
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公开(公告)号：CN102074577A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010506129.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L21/2815 , H01L29/04 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0676 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/413 , H01L29/42376 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN118057550A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211445328.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 北京大学深圳医院
Abstract: 本发明属于医学技术领域，具体涉及一种基于术前血压变异性的主动脉夹层术后急性肾损伤预测模型，其特征在于：采用术前血压变异性指标和饮酒指标的组合作为预测指标；术前血压变异性指标和饮酒指标的组合为：术前SBP标准差指标和饮酒指标的组合、术前SBP变异系数指标和饮酒指标的组合或术前SBP极差指标和饮酒指标的组合。本申请公开的预测模型，只需要考察术前血压变异性和饮酒指标即可对主动脉夹层术后急性肾损伤的发病概率进行预测，并且模型的C‑index指数均大于0.850，不但临床上易于使用，并且具有较高的精度和可信度。
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公开(公告)号：CN102353887B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110273484.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法，设计了辅助器件结构，包括圆柱内芯和内芯外包裹的第一圆环、第二圆环，第一圆环与第二圆环形成的圆形边界即为待测界面的等效界面，从而将晶向、尺寸等影响统一考虑，取等效界面热阻，从而简化界面热效应相关计算，建立了一个简易的模型研究热效应。通过改变第一圆环和第二圆环的材料，可以测量不同材料的圆形边界界面热阻。根据得到的等效热阻，可以就热效应对环栅器件的影响进行建模分析。
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公开(公告)号：CN102074577B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010506129.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L21/2815 , H01L29/04 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0676 , H01L29/0692 , H01L29/0847 , H01L29/413 , H01L29/42376 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN102097296B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010506128.7
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , G03F7/00 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。
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公开(公告)号：CN102509698A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110375066.5
申请日：2011-11-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用trimming工艺及掩膜阻挡氧化相结合来制备超细线条的方法，该方法利用timming掩膜尺寸，同时利用掩膜来阻挡氧化相结合的方法来得到超细线条。采用此方法制备出的悬空超细线条直径可由淀积氧化硅的厚度、trimming后氧化硅线条的尺寸、湿法氧化的时间及温度来精确地控制在20nm以下，且湿法氧化速度很快，所以对普通光学光刻所产生的线条尺寸更快的缩小。同时利用此方法制备超细线条，成本低，可行性高。
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