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公开(公告)号：CN102751407A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210217051.0
申请日：2012-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一下金属电极，其制作于衬底上；一载流子注入层，其形成于金属电极上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为新型载流子注入层的方法，提高空穴注入，减小电子注入层厚度，降低成本。
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公开(公告)号：CN102637810A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210123623.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种LED封装结构及封装成型方法，该LED封装结构包括：一LED支架；一LED芯片，固定于LED支架的表面；两条金属线，用于LED支架与LED芯片的连接；多层硅胶层，封盖于LED支架、LED芯片和两条金属线上。通过本发明的LED封装方法得到的封装结构，可以有效的改善LED的光斑和光型，使LED出光均匀，减少光功率损失，提高外量子效率和LED可靠性，降低光衰。
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公开(公告)号：CN102608509A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110435006.8
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对多颗发光二极管器件在加速老化的同时，原位进行光、电、热综合测试的系统及方法。此检测系统包括发光二极管负载电路板(1)、电参数发生及测试装置(2)、多通道驱动控制装置(3)、光探测装置(4)、光探测控制装置(5)、光信号处理分析装置(6)、恒定温度控制装置(7)、温度探测装置(8)以及中央监控及处理计算机(9)。利用本发明，不仅能够对多颗发光二极管进行加速老化，而且可以通过计算机设定时间节点，对每一个发光二极管器件的电学、光学及热学热性进行逐个测试，以便全面了解LED发光二极管器件的整体物理特性。
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公开(公告)号：CN102593301A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052920.9
申请日：2012-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。本发明可以提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。
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公开(公告)号：CN102569566A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210060166.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使LED芯片固定于支架上；用金线将LED芯片的电极与LED支架相连；将LED芯片与LED支架一起浸泡，使打好金线的LED芯片与LED支架分离；将银浆涂覆在功率型LED支架上，然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上，以LED芯片侧面接触LED支架；在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉；在LED芯片上方的上方盖合一透镜；在透镜内填充硅胶，并固化，完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率，同时也大大改善了其远场分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544271A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075703.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一氮化镓成核层；步骤5：第二次退火；步骤6：在氮化镓成核层上依次生长非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有较大的工艺生长窗口。
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公开(公告)号：CN101937951B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010251509.5
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101976712B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010263076.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层或衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102208502A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110152869.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术，通过匀胶，前烘，曝光，坚膜，在SiO2层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层，露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上，蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边，蒸发接触金属电极，完成二极管隐形电极的制作。
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公开(公告)号：CN101812725B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010145087.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C30B25/02
Abstract: 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。
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