公开(公告)号：CN117855145A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311694549.0

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件，上述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，第二层间介质层包裹第二有源结构、第二源漏结构和第二源漏金属；其中，第一源漏金属和第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一层间介质层和第二层间介质层。通过本申请，可以降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的控制难度。

公开(公告)号：CN117690797A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311797536.6

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  滕飞宇 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成沟道，沟道包括沿沟道的延伸方向依次连接的第一部分、第二部分和第三部分；形成覆盖第一部分的侧壁的第一间隔层；在第一间隔层上形成栅极结构，栅极结构至少覆盖第二部分的侧壁；在栅极结构上形成第二间隔层，第二间隔层覆盖第三部分的侧壁；其中，第二间隔层的正投影、覆盖第二部分的侧壁的栅极结构的正投影以及第一间隔层的正投影基本重合；在沟道的延伸方向的两端分别形成第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区连接第三部分，第二掺杂区连接第一部分。

公开(公告)号：CN117494524A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311556535.2

申请日：2023-11-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张立宁 ,  沈聪 ,  李宇 ,  王润声

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本申请公开了半导体器件老化仿真的快速建模方法及装置，该方法通过有限元仿真等方式确定半导体器件的自热温度信息，并获得对应的老化数据ID(VG/D,t,T)；提取与BSIM‑CMG模型特征参数，并建立老化数据ID(VG/D,t,T)与所述BSIM‑CMG模型特征参数之间的第一映射关系；建立半导体器件老化可靠性模型，提取与半导体器件老化可靠性模型相关的可靠性模型参数，并通过机器学习方法建立BSIM‑CMG模型特征参数与可靠性模型参数之间的第二映射关系；根据第一映射关系和第二映射关系，实现针对半导体器件的老化预测。本申请实现较为准确地预测老化对半导体器件的IV关系的影响，提供半导体器件电路仿真的效率和准确度，实现半导体器件的高效和精准的老化预测。

公开(公告)号：CN117352459A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311226981.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底，衬底为晶圆；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分；在有源结构上沉积半导体材料，以形成伪栅结构；在伪栅结构的第三部分的两侧形成第一晶体管的源结构和漏结构；对晶圆进行倒片，并去除衬底；在伪栅结构的第四部分的两侧形成第二晶体管的源结构和漏结构；刻蚀伪栅结构，以形成第一槽；在第一槽处分别形成第一晶体管的第一栅极结构和第二晶体管的第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构在垂直方向上自对准。

公开(公告)号：CN117116859A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310987931.4

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次形成由不同晶格常数的材料制成的第一材料层和第二材料层；刻蚀第一材料层和第二材料层，形成的鳍结构包括由刻蚀后的第一材料层形成的第一部分和由刻蚀后的第二材料层形成的第二部分；基于第二部分，形成底层晶体管；倒片后基于第一部分，形成顶层晶体管。本申请通过利用鳍结构的第二部分形成底层晶体管，倒片后利用鳍结构的第一部分形成顶层晶体管，使得上下两层晶体管共用鳍结构且实现自对准。另外，由于第一部分与第二部分由不同晶格常数的材料形成，使得底层晶体管和顶层晶体管所共用的鳍结构中产生对应的沟道应力，保证了半导体结构的正常工作。

公开(公告)号：CN117116858A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310987549.3

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分；在衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖第二部分；在浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并刻蚀衬底以及浅沟槽隔离层，以暴露刻蚀阻挡层以及第二部分；基于第二部分形成顶层晶体管。底层晶体管的第一栅极结构与顶层晶体管的第二栅极结构位于刻蚀阻挡层相对的两侧。

公开(公告)号：CN117116857A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310986686.5

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管的第一栅结构与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；去除衬底并部分去除隔离结构，以暴露有源结构的第二部分；在隔离结构中形成通孔，其中，通孔暴露第一栅结构；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，第二晶体管的第二栅结构与第一栅结构通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠晶体管中上下层晶体管的栅极互连。

公开(公告)号：CN114510895A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210080599.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王润声 ,  刘明昊 ,  孙梓轩 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: G06F30/36 ,  G06F111/08 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到的所有随机电报噪声功率谱进行叠加，最后得到闪烁噪声的功率谱。本发明通过随机电报噪声幅度与能量分布的随机性来反映闪烁噪声的涨落特性，可以准确地统计闪烁噪声的涨落信息，给出当前条件下器件闪烁噪声的期望值与涨落的方差。

公开(公告)号：CN114282467A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111541466.9

申请日：2021-12-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 林亦波 ,  张作栋 ,  郭资政 ,  王润声 ,  黄如

IPC: G06F30/3312 ,  G06F30/367 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公布了一种老化和涨落感知的动态时序分析方法，属于集成电路设计自动化领域。改方法基于事件传播的动态时序分析，利用事件传播算法来计算电路在指定的输入下，每周期的延迟。本发明修改了传统的事件传播算法，使其能够支持门级老化模型和门级涨落模型，使得最终的动态延迟是老化后的延迟分布而不是一个确定性的值。本发明可以分析数字电路在实际负载退化后的动态延迟以及动态延迟的涨落，并因此可以计算出老化后电路时序错误概率，可以帮助设计者准确地估计老化和随机工艺涨落对时序信息的影响，避免因为过设计导致的性能损失。

公开(公告)号：CN105574232B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201510846309.7

申请日：2015-11-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  蒋晓波 ,  王润声

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管中鳍边缘粗糙度的电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法基于可预测性集约模型，首先从鳍线条的电镜照片中提取出粗糙的鳍边缘，计算它的自相关函数，然后利用计算公式得到鳍边缘粗糙度影响下的鳍宽的分布，嵌入到电路仿真软件的仿真网表中进行电路仿真，即可得到鳍边缘粗糙度所造成的电路性能参数。采用本发明可以很准确地得到的器件特性涨落影响，且所有参数都可以用TCAD蒙特卡洛仿真得到的结果进行基准调整。与传统方法相比，可以预测器件的亚阈斜率SS的涨落,以及亚阈斜率SS涨落和阈值电压Vth的相关性。