公开(公告)号：CN117525009A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311648227.2

申请日：2023-12-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  孙梓轩 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/467 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种功率射频器件的近结嵌入式微气道结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明采用高热导率材料制备器件的上表面均热结构和衬底层，实现了双面均热/散热，有效增加了器件的均热/散热能力，同时将微气道热沉直接引入器件的近结区域，显著增强了近结区域的散热能力，同时填充高导热系数气体，提高对流换热系数。因此本发明解决了器件上表面难以集成热沉的应用难题，实现嵌入式近结点均热/散热效果。

公开(公告)号：CN118039495A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410156919.3

申请日：2024-02-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  孙梓轩 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开一种氮化镓器件和金刚石衬底的键合方法，属于半导体技术领域。本发明首先在金刚石衬底上制备硅薄膜，利用高温退火，碳原子和硅原子之间反应形成了厚度在纳米量级的大面积的碳化硅薄膜，再使用表面活化键合技术将氮化镓器件与金刚石‑纳米立方碳化硅衬底常温键合。采用本发明可形成高强度的键合界面，不需要中间层，大大提高键合效率，完成大面积键合，有利于获得高的界面热导，且将氮化镓器件常温键合到金刚石上有利于均热。

公开(公告)号：CN118028975A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410156918.9

申请日：2024-02-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 程哲 ,  孙梓轩 ,  王润声 ,  黄如

IPC: C30B29/04 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开一种单晶金刚石衬底上制备氮化镓外延片的方法，属于半导体技术领域。本发明在金刚石衬底上制备硅薄膜，高温退火后，硅薄膜变为碳化硅薄膜，在碳化硅薄膜上进一步生长出高质量氮化铝缓冲薄膜层，并在缓冲层基础上生长氮化镓外延层。采用本发明制备出的氮化镓外延片具备优异的性能，且具有更为出色的散热性能。

公开(公告)号：CN114510895A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210080599.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王润声 ,  刘明昊 ,  孙梓轩 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: G06F30/36 ,  G06F111/08 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到的所有随机电报噪声功率谱进行叠加，最后得到闪烁噪声的功率谱。本发明通过随机电报噪声幅度与能量分布的随机性来反映闪烁噪声的涨落特性，可以准确地统计闪烁噪声的涨落信息，给出当前条件下器件闪烁噪声的期望值与涨落的方差。

公开(公告)号：CN114510895B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210080599.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王润声 ,  刘明昊 ,  孙梓轩 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: G06F30/36 ,  G06F111/08 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到的所有随机电报噪声功率谱进行叠加，最后得到闪烁噪声的功率谱。本发明通过随机电报噪声幅度与能量分布的随机性来反映闪烁噪声的涨落特性，可以准确地统计闪烁噪声的涨落信息，给出当前条件下器件闪烁噪声的期望值与涨落的方差。