公开(公告)号：CN114510895B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210080599.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王润声 ,  刘明昊 ,  孙梓轩 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: G06F30/36 ,  G06F111/08 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到的所有随机电报噪声功率谱进行叠加，最后得到闪烁噪声的功率谱。本发明通过随机电报噪声幅度与能量分布的随机性来反映闪烁噪声的涨落特性，可以准确地统计闪烁噪声的涨落信息，给出当前条件下器件闪烁噪声的期望值与涨落的方差。

公开(公告)号：CN106298936A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610676889.4

申请日：2016-08-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明提供一种倒梯形顶栅结构鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明由于采用倒梯形栅结构，其栅控能力位于三栅和围栅之间，使得倒梯形顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺制备抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN106158974A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610756154.2

申请日：2016-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 本发明提供一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明将矩形顶栅改为Ω型顶栅，由于Ω型栅结构的栅控能力接近围栅结构，因此Ω型顶栅FinFET对于Fin上1/3处的栅控能力必定大于矩形顶栅FinFET，这使得Ω型顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且Ω型顶栅FinFET的Fin上1/3处的沟道截面积并未有减小。本发明与传统的鳍型场效应晶体管相比，可获得较高的开态电流。且本发明与传统集成电路制造技术相兼容、工艺简单、成本代价小。

公开(公告)号：CN114510895A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210080599.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王润声 ,  刘明昊 ,  孙梓轩 ,  张嘉阳 ,  黄如

IPC: G06F30/36 ,  G06F111/08 ,  G06F119/10

Abstract: 本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到的所有随机电报噪声功率谱进行叠加，最后得到闪烁噪声的功率谱。本发明通过随机电报噪声幅度与能量分布的随机性来反映闪烁噪声的涨落特性，可以准确地统计闪烁噪声的涨落信息，给出当前条件下器件闪烁噪声的期望值与涨落的方差。