公开(公告)号：CN118380320A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410489812.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  付麒力 ,  滕飞宇 ,  卜伟海 ,  武咏琴 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构上沉积第一绝缘材料，以形成第一浅沟槽隔离层；刻蚀第一浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露鳍状结构；在鳍状结构上形成伪栅结构；在伪栅结构和未被伪栅结构包裹的鳍状结构上沉积第一绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离层；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与叠层的交界处，以暴露未被伪栅结构包裹的鳍状结构；刻蚀未被伪栅结构包裹的鳍状结构，并形成源漏结构；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露牺牲层；去除牺牲层，在叠层、源漏结构与衬底之间形成第一间隙；在第一间隙中填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。

公开(公告)号：CN119653847A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411602679.1

申请日：2024-11-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  滕飞宇 ,  闫祥宇 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本申请提供一种晶体管的制备方法、晶体管及半导体器件。该制备方法包括：在半导体衬底上形成堆叠结构；刻蚀堆叠结构以形成多个鳍状结构，多个鳍状结构沿第一方向依次排布，多个鳍状结构中任意相邻的两个鳍状结构之间形成第一沟槽；在第一沟槽内形成覆盖多个鳍状结构的侧壁的第一侧墙；刻蚀位于第一沟槽下方的半导体衬底，以得到第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内沉积电介质材料，以形成隔离结构；去除第一侧墙，以分隔隔离结构和多个鳍状结构，得到第一半导体结构；基于第一半导体结构中的多个鳍状结构，形成多个第一晶体管，隔离结构用于电学隔离多个第一晶体管中任意相邻的两个第一晶体管，任意相邻的两个第一晶体管的极性相同或不同。

公开(公告)号：CN117476466A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311452213.3

申请日：2023-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  滕飞宇 ,  卢浩然 ,  黄如 ,  黎明 ,  王润声

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，该方法包括：在衬底上依次沉积牺牲层以及叠层，叠层由第一半导体材料层和第二半导体材料层交替层叠形成的；刻蚀牺牲层和叠层，以形成鳍状结构；在鳍状结构的两端，外延生长源极结构和漏极结构；刻蚀牺牲层，以在叠层、源极结构、漏极结构与衬底之间形成底层间隙；在底层间隙处填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。本申请实施例提供的底部介质隔离的制备方法，可以改善源漏外延的生长质量，对沟道提供更好的应力。

公开(公告)号：CN117476466B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311452213.3

申请日：2023-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  滕飞宇 ,  卢浩然 ,  黄如 ,  黎明 ,  王润声

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，该方法包括：在衬底上依次沉积牺牲层以及叠层，叠层由第一半导体材料层和第二半导体材料层交替层叠形成的；刻蚀牺牲层和叠层，以形成鳍状结构；在鳍状结构的两端，外延生长源极结构和漏极结构；刻蚀牺牲层，以在叠层、源极结构、漏极结构与衬底之间形成底层间隙；在底层间隙处填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。本申请实施例提供的底部介质隔离的制备方法，可以改善源漏外延的生长质量，对沟道提供更好的应力。

公开(公告)号：CN117690797A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311797536.6

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  滕飞宇 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成沟道，沟道包括沿沟道的延伸方向依次连接的第一部分、第二部分和第三部分；形成覆盖第一部分的侧壁的第一间隔层；在第一间隔层上形成栅极结构，栅极结构至少覆盖第二部分的侧壁；在栅极结构上形成第二间隔层，第二间隔层覆盖第三部分的侧壁；其中，第二间隔层的正投影、覆盖第二部分的侧壁的栅极结构的正投影以及第一间隔层的正投影基本重合；在沟道的延伸方向的两端分别形成第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区连接第三部分，第二掺杂区连接第一部分。

公开(公告)号：CN220821570U

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202322593389.2

申请日：2023-09-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  滕飞宇 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的版图和半导体结构，该半导体结构的版图包括：多个沟道，所述多个沟道沿第一方向间隔排布；其中，每个所述沟道沿第二方向延伸；所述第二方向和所述第一方向垂直；所述沟道中载流子的传输方向与所述第一方向和所述第二方向均垂直。