公开(公告)号：CN119133103A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411109208.7

申请日：2024-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；衬底包括横向扩散区域和核心区域；在横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀横向扩散区域和核心区域，以形成鳍状结构；鳍状结构包括沿第一方向堆叠设置的第一鳍状结构和第二鳍状结构；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽；在第一鳍切沟槽中填充氧化物；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；在第二鳍切沟槽中填充氧化物；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以实现横向扩散器件与堆叠晶体管之间的工艺兼容。

公开(公告)号：CN119866009A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411995821.3

申请日：2024-12-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  王逸勐 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B10/00 ,  H10D84/03 ,  H10D84/85 ,  H01L23/528 ,  H10D89/10

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，依次形成堆叠的第一正面晶体管、第二正面晶体管和正面后道晶体管；第一正面晶体管中的第一正面源漏金属、第二正面晶体管中的第二正面源漏金属和正面后道晶体管中的第三正面源漏金属连接；在正面后道晶体管上进行后道工艺，以形成正面金属互连层；倒片并减薄衬底；基于背面有源结构，依次形成堆叠的第一背面晶体管、第二背面晶体管和背面后道晶体管；第一背面晶体管中的第一背面源漏金属、第二背面晶体管中的第二背面源漏金属和背面后道晶体管中的第三背面源漏金属连接；在背面后道晶体管上进行后道工艺，以形成背面金属互连层。

公开(公告)号：CN119317131A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411234319.0

申请日：2024-09-04

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  王润声 ,  黎明 ,  康劲 ,  周发龙 ,  张丽杰 ,  黄如

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D30/65

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；在衬底的横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀P型阱区和衬底的核心区域，以形成鳍状结构和平面块状结构；平面块状结构基于横向扩散区域中未被刻蚀的N型漂移区形成；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽，和/或，对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；第一鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度；第二鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度。

公开(公告)号：CN118039486A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410151433.0

申请日：2024-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上层叠沉积第一材料层、第二材料层以及第三材料层，以形成第一半导体结构；刻蚀第一半导体结构的第一区域，以形成第二半导体结构，第二半导体结构包括由第一材料层形成的第一源漏结构、由第二材料层形成的有源结构以及由第三材料层形成的第二源漏结构，第一源漏结构与第二源漏结构在沟道的垂直方向上对称设置；对有源结构的第一部分进行第一方向上的刻蚀，以形成目标有源结构，目标有源结构的第二部分的宽度小于除第二部分外其余部分的宽度，第一方向为沟道的垂直方向；基于第一源漏结构、目标有源结构以及第二源漏结构，制备垂直晶体管。

公开(公告)号：CN117690797A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311797536.6

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  滕飞宇 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成沟道，沟道包括沿沟道的延伸方向依次连接的第一部分、第二部分和第三部分；形成覆盖第一部分的侧壁的第一间隔层；在第一间隔层上形成栅极结构，栅极结构至少覆盖第二部分的侧壁；在栅极结构上形成第二间隔层，第二间隔层覆盖第三部分的侧壁；其中，第二间隔层的正投影、覆盖第二部分的侧壁的栅极结构的正投影以及第一间隔层的正投影基本重合；在沟道的延伸方向的两端分别形成第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区连接第三部分，第二掺杂区连接第一部分。