公开(公告)号：CN117832173B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202311740316.X

申请日：2023-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/85

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。

公开(公告)号：CN118943083A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410760678.3

申请日：2024-06-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属；其中，在形成第一源漏金属之前，形成第一绝缘层，第一绝缘层位于第一晶体管的第一栅极结构上，第一绝缘层用于隔离第一栅极结构与第一源漏金属；在形成第二源漏金属之前，形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第二晶体管的第二栅极结构上，第二绝缘层用于隔离第二栅极结构与第二源漏金属。

公开(公告)号：CN117936463A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410177704.X

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底结构上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第一部分比与第二部分靠近衬底结构；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，第一晶体管包括包裹第一部分的第一栅极结构、以及位于堆叠晶体管的源漏区域内的第一层间介质层；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，第二晶体管包括包裹第二部分的第二栅极结构、以及位于源漏区域内的第二层间介质层；以第一层间介质层和第二层间介质层作为刻蚀停止层，对第一栅极结构和第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构。

公开(公告)号：CN117855145A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311694549.0

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件，上述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，第二层间介质层包裹第二有源结构、第二源漏结构和第二源漏金属；其中，第一源漏金属和第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一层间介质层和第二层间介质层。通过本申请，可以降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的控制难度。

公开(公告)号：CN117855144B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311694452.X

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H01L23/538 ,  H10D84/83 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

公开(公告)号：CN117855144A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311694452.X

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

公开(公告)号：CN118073279B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202410178542.1

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  江循 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  林亦波 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。

公开(公告)号：CN118352341B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410298110.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。

公开(公告)号：CN119421414A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411486038.4

申请日：2024-10-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成第一半导体结构，第一半导体结构至少包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成互补金属氧化物半导体CMOS晶体管；对CMOS晶体管进行倒片，并暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成存储单元，存储单元中的晶体管的沟道为曲线型沟道。本申请可以实现具有逻辑功能的CMOS电路与具有曲线型沟道的存储单元的同质集成，而且曲线型的沟道可以增加等效栅长，以降低漏电，提高保持时间，降低功耗。

公开(公告)号：CN118352300A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410299534.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向依次堆叠的第一有源结构、牺牲层结构和第二有源结构；第二有源结构相比于第一有源结构靠近半导体衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一伪栅侧墙；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二伪栅侧墙；在形成第一晶体管的第一伪栅侧墙和/或第二晶体管的第二伪栅侧墙之前，采用湿法刻蚀工艺去除牺牲层结构；在被去除的牺牲层结构的位置处形成空气间隙；空气间隙用于隔离第一晶体管和第二晶体管。