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公开(公告)号：CN111508128A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010338147.7
申请日：2020-04-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种门禁控制方法、门禁系统、存储介质及电子设备。所述门禁控制方法，包括：获取图像采集装置采集的图像及测温装置采集的当前人员的体温；判断所述当前人员的体温是否高于预设值；若所述当前人员的体温不高于预设值，则根据开启通行设备的指令控制通行设备打开。本发明在有人员请求进入设有门禁系统的区域时实现自动检测体温，通过身份核实与体温检测的双重确认，有效避免已出现体温异常的人员进入区域内带来风险，节约人力资源，提高测温效率。
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公开(公告)号：CN110120354A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910371347.X
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块的封装方法及智能功率模块。其中，该方法包括：在智能功率模块完成第一次树脂层封装后，在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷，其中，上述智能功率模块中的功率芯片内置于上述第一树脂层；通过对经导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装，得到封装成型的智能功率模块，其中，上述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。本发明解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足的技术问题。
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公开(公告)号：CN112768356B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201911074969.2
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达 的多晶硅，在多个源区沟槽之间以及在主结P+区与环绕所述主结P+区的沟槽之间制备P阱区、N+区和N+截止环，然后形成介质层，并进行接触孔刻蚀填充，再形成金属层，最后制备钝化层。本发明由于采用了较厚的多晶硅，故在减薄多晶硅工序后仍保留了 厚的多晶硅，在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜，从而减少了一张光刻版降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112234030B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910635287.8
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/8252 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/02 , H01L27/088 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。
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公开(公告)号：CN111354695B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010166039.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975128A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN112768503B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201911002701.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L49/02
Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。
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公开(公告)号：CN112768413B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201911002045.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封装基板及半导体芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。其中封装基板包括：基板本体，所述基板本体包括靠近注塑口的第一端及靠近注塑排气口的第二端；所述第一端设置有允许塑封料缓冲的第一避让结构。本申请中第一避让结构的设置，使得从注塑口一经注入的塑封料胶体不会直接冲击在基板本体处被阻挡而改变流向，而是能够在第一避让结构处得到一个缓冲，随后更均匀的流向基板本体的两侧封装面，改善塑封料在基板本体上下流量不一致的问题，使得塑封料更均匀的流向两侧封装面；从而保证封装产品的外观。
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公开(公告)号：CN114566546A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011357357.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。
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公开(公告)号：CN113394277B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010165425.3
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本公开提供沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT，所述元胞结构包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；位于所述漂移层内并位于所述元胞结构中心位置的第一沟槽栅和贯穿所述第一沟槽栅的第二沟槽栅；位于所述漂移层上方的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅通过第一连接孔连接至所述发射极金属层，所述第二沟槽栅与所述发射极金属层之间通过层间介质层隔离。在不改变元胞面积的情况下，通过将真假栅极整合在一个元胞中，解决了假栅极导致的芯片面积增大的问题。不仅不会影响沟槽之间的间距和导电沟道，而且增加了发射极接触面积，改善了电导调制效应，在阻断电压不变的同时使导通压降下降。
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