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公开(公告)号：CN113394114A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010164755.0
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。
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公开(公告)号：CN113141122A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010064223.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提出了一种智能功率模块，包括上桥逆变桥、下桥逆变桥以及连接所述上桥逆变桥和所述下桥逆变桥的控制器，所述上桥逆变桥及所述下桥逆变桥分别垂直设置在所述控制器的相对的两侧，且所述上桥逆变桥与所述下桥逆变桥对称设置，本发明的智能功率模块为立体结构，减少了模块所占的面积，增加模块的散热效率。同时其类似插片式的散热器的外观结构，既提高了散热效果，又免去了散热器，解决了IPM模块和散热器热粘合不好的问题，同时节约了散热器的成本。本发明提出了上述智能功率模块的制备方法，不仅可以制备DIP封装，还可以制备SOP的封装形式。
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公开(公告)号：CN111163585B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN112652661A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959540.5
申请日：2019-10-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制备方法，包括依次贴合连接的金属漏极、衬底和外延层以及嵌设于所述外延层的正面结构；所述外延层内设有金属夹层，所述正面结构从所述外延层的正面向内延伸至穿过所述金属夹层。通过在外延层内设置金属夹层，金属夹层作为杂质原子掺杂在外延层内，而且正面结构嵌设入外延层内后穿过金属夹层，因此杂质原子可以形成复合中心，复合中心使晶体管内的非平衡载流子的复合过程从传统的直接复合改变为间接复合，这样减少了载流子的复合时间，进而减小了晶体管的反向恢复时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447679A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910818893.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：栅极结构和多个元胞结构；栅极结构包括电阻区和接线区，接线区设有连接金属层，元胞结构的栅极与接线区的连接金属层电连接；电阻区包括电阻走线、和沿电阻走线的延伸方向分布的多个连接焊盘，每一个连接焊盘与电阻走线电连接，以将电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。本申请公开的功率半导体器件，将外部电阻集成到栅极结构上，从而降低IGBT和MOSFET器件栅极的电压操控难度，提高精准性。
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公开(公告)号：CN112289755A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668280.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TO封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域。其中，TO封装结构包括：壳体、基板及引脚，所述基板设置于所述壳体内，所述基板沿所述壳体的长度方向延伸；所述基板具有用于设置芯片的正面及反面，所述基板的正面与所述壳体的第一侧壁具有第一预设距离，所述基板的反面与所述壳体的第二侧壁具有第二预设距离，所述第一侧壁与所述第二侧壁相对设置；所述芯片连接有所述引脚。本方案中基板的两面均可以进行封装，能够使得每个壳体的使用面积得到提升，也就是每个壳体内的基板较现有技术可多封装芯片，有效降低了封装的成本，提高了壳体的利用效率。
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公开(公告)号：CN112289754A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668258.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种功率模块及封装方法，包括引线框架、封装基板及承载板，所述引线框架固定于所述承载板上，所述封装基板与所述引线框架的引脚之间通过相互配合的凹凸结构连接，且所述封装基板与引线框架在凹凸配合处焊接固定，所述凹凸结构包括相互配合的柱销和通孔，所述引线框架设置所述柱销，所述封装基板设置与所述柱销配合的通孔，所述引脚对应所述封装基板通孔弯折形成所述柱销，其能够解决封装基板与引线框架之间在高温和振动环境下引脚脱焊现象。
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公开(公告)号：CN110534556B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910668260.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/266 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。
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公开(公告)号：CN111261702A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811467502.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型功率器件及其形成方法，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。
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