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公开(公告)号：CN209804655U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920706780.X
申请日：2019-05-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体晶圆及具有其的电子装置；半导体晶圆包括依次连接的芯片层、晶圆层和金属层；所述芯片层包括多个间隔布设在所述晶圆层上的芯片，相邻两个所述芯片形成划片道；所述划片道上间隔设置有多个凹槽。根据本实用新型提供的半导体晶圆，在晶圆层与芯片形成的划片道上设有多个凹槽，通过凹槽将划片道分隔成若干待切割区域，由于凹槽的存在，阻止了切割应力过多分散，提高切割效率，而且防止了切割过程中晶圆片出现非期待性的裂片，进而提高了晶圆产出良率。
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公开(公告)号：CN209434191U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201822014521.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽型功率器件，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210866184U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921780363.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的终端结构，包括半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本实用新型在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。
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公开(公告)号：CN210837754U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201922178796.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN209804659U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201822065217.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域（4），且所述打线区域（4）处未刻蚀沟槽（6）。本实用新型的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214848639U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121152384.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本申请提供一种半导体器件的元胞结构及半导体器件，该元胞结构包括第一导电类型衬底；依次并排设置于所述衬底上表面内的至少一个第一沟槽栅、至少一个第二沟槽栅、至少一个第三沟槽栅和至少一个第四沟槽栅；位于所述阱区上表面内并位于所述第一沟槽栅两侧、所述第三沟槽栅两侧和所述第四沟槽栅两侧的第一导电类型源区；位于所述衬底上方并同时与所述源区电连接的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅、所述第二沟槽栅和所述第三沟槽栅与所述发射极金属层之间通过第一层间介质层隔离，所述第四沟槽栅与所述发射极金属层电连接。这种元胞结构可以实现更好的导通压降、饱和电流、短路时间三大参数的折中平衡。
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公开(公告)号：CN212033005U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020286911.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块，所述功率模块的内部设置有冷却通道，所述冷却通道用于冷却液的流通。本实用新型自带冷却通道，体积小，散热效率高。
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公开(公告)号：CN211828749U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020023540.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211828683U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020190162.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型提供了一种沟槽型IGBT。该沟槽型IGBT的衬底中具有沟槽，各IGBT元胞包括栅极结构和发射极结构，栅极结构包括栅极层、第一栅氧层和第二栅氧层，部分第一栅氧层覆盖于沟槽表面，部分栅极层设置于沟槽中，发射极结构包括发射区、接触孔和发射极，发射区位于衬底中，沟槽贯穿发射区，另一部分第一栅氧层以及另一部分栅极层叠置于与发射区对应的衬底上；接触孔贯穿位于衬底上的栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内，第二栅氧层覆盖于接触孔的部分表面；发射极位于接触孔中，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。上述沟槽型IGBT通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极层和发射极短接而导致的IGBT失效。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210956665U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020045615.7
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种智能功率模块及电子设备。智能功率模块，包括：基板，所述基板的一侧表面形成有金属层，所述金属层上形成有用于安装芯片的多个芯片安装区，每个所述芯片安装区内均设用于容纳引线框架的管脚的凹槽。本申请中的智能功率模块，基板的一侧表面形成的金属层，金属层上的芯片安装区上设有凹槽，以使引线框架的管脚与金属层连接时，管脚嵌入至金属层的凹槽中，降低基板的金属层面溢胶的情况发生。
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