公开(公告)号：CN103563059A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280024783.6

申请日：2012-05-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.哈兰 ,  程慷果 ,  S.波诺思 ,  T.E.斯坦达尔特 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/22 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L27/092

Abstract: 在一个实施例中，提供一种方法，该方法包括：提供包括半导体衬底（12）和掺杂半导体层的结构，该半导体衬底（12）具有设置在其中的至少一个器件区域（14），该掺杂半导体层在至少一个器件区域中设置在半导体衬底的上表面上。在提供上述结构之后，在掺杂半导体层的上表面上形成牺牲栅极区域（28），该牺牲栅极区域（28）的侧壁上设置有间隙壁（34）。然后，形成平坦电介质材料（36），并去除牺牲栅极区域（28）以形成暴露掺杂半导体层的一部分的开口（38）。使开口延伸到半导体衬底（20）的上表面，然后进行退火，使得掺杂剂从掺杂半导体层的保留部分外扩散以在半导体衬底的位于掺杂半导体层的保留部分之下的部分中形成源极区（40）和漏极区（42）。然后，在延伸开口中形成高k栅极电介质（46）和金属栅极（48）。

公开(公告)号：CN103515244A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310234789.2

申请日：2013-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  王俊利 ,  黄洸汉 ,  杨智超

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理。一种形成半导体器件结构的方法包括：在半导体衬底以及形成于该衬底上的虚设晶体管栅极结构之上形成层间电介质（ILD）层；在该ILD层的顶部中灌注浅气体团簇离子束（GCIB）层；以及从所述虚设晶体管栅极结构去除至少一层，其中所述至少一个层包括与所述ILD层相同的材料，并且其中所述GCIB层与所述ILD层相比具有更慢的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN103456642A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310217162.6

申请日：2013-06-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  程慷果 ,  B·S·哈兰 ,  N·罗贝特 ,  S·波诺斯 ,  S·施密茨 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。

公开(公告)号：CN101969024B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010237978.1

申请日：2010-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·B·多里斯 ,  古川俊治

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明涉及用于使图形密度加倍的方法。一种方法在主层上沉积未掺杂的硅层，在所述未掺杂的硅层上沉积帽层，构图在所述帽层上的掩蔽层，并将所述未掺杂的硅层构图成硅芯部。该方法在这样的工艺中将杂质引入所述硅芯部的侧壁中，该工艺使所述硅芯部的侧壁部分掺杂有杂质并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未掺杂。该方法去除所述帽层而留下位于所述主层上的所述硅芯部，并执行选择性材料去除工艺，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述侧壁部分留在所述主层上。该方法使用所述硅芯部的所述侧壁部分作为构图掩模而至少构图所述主层，并且去除所述硅芯部的所述侧壁部分以至少留下构图后的所述主层。

公开(公告)号：CN101042997B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710135930.8

申请日：2007-03-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了利用前向馈送数据来使沟槽凹陷。在一个实施例中，公开一种方法，包括：提供在晶片上的一个区域以及施加在该区域上方的材料，所述区域包括含沟槽的沟槽区和没有任何沟槽的场区，该材料施加在该区域上方使得填充沟槽区中的沟槽并在沟槽区和场区之间形成台阶；进行刻蚀以部分地刻蚀沟槽；确定用于刻蚀至目标深度(DT)的目标刻蚀持续时间(tD)；以及在近似等于目标刻蚀持续时间(tD)的时段中沟槽刻蚀至目标深度(DT)。目标刻蚀持续时段tD可以被前向馈送，以将另一沟槽凹陷至目标深度DT。该方法不需要先发晶片，与常规自动化工艺完全兼容，并对每个晶片提供原位刻蚀时间校正。

公开(公告)号：CN102318046A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007382.0

申请日：2010-01-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  程慷果 ,  王耕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/033

Abstract: 通过提供衬底并且在衬底顶上形成含半导体层来形成半导体器件。然后在含半导体层顶上形成具有多个开口的掩膜，其中掩膜的多个开口中的相邻开口以最小特征尺寸隔开。此后，进行倾斜离子注入以向含半导体层的第一部分引入掺杂剂，其中实质上不含掺杂剂的其余部分存在于掩膜之下。相对于含半导体层的实质上不含掺杂剂的其余部分选择性地去除含半导体层的包含掺杂剂的第一部分以提供亚光刻尺寸的图案，并且向衬底中转移图案以提供亚光刻尺寸的鳍结构。

公开(公告)号：CN100583460C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810009023.3

申请日：2008-01-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  L·L-C·苏 ,  J·A·曼德尔曼

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明的实施例总体上涉及半导体器件领域，更具体地涉及基于鳍的结型二极管。掺杂半导体鳍的一部分可以穿过第一掺杂层突出。本征层可以布置在所述突出的半导体鳍上。第二半导体层可以布置在本征层上，从而形成与FinFET技术兼容且具有增加的结面积的PIN二极管。

公开(公告)号：CN100505160C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710089829.3

申请日：2007-04-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 卡尔·J.·雷登 ,  程慷果 ,  拉马查德拉·迪瓦卡路尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/945 ,  H01L29/66931

Abstract: 一种半导体结构及形成这种结构的方法。该半导体结构包括半导体衬底。该半导体结构进一步包括在半导体衬底顶上的电绝缘区。该半导体结构还包括在半导体衬底顶上并与之直接物理接触的一个第一半导体区。该半导体结构还包括在绝缘区顶上的第二半导体区。该半导体结构还包括在第一半导体区和半导体衬底内的电容器。该半导体结构还包括在第二半导体区和电绝缘区内的电容器电极接头。

公开(公告)号：CN101317273A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044055.6

申请日：2006-12-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·A·曼德尔曼 ,  程慷果 ,  路易斯·L-C·许 ,  杨海宁

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78618 ,  H01L2029/7858 ,  Y10S438/96

Abstract: 一种制造finFET的方法，包括步骤：(1)提供衬底；以及(2)在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区。每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(b)在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。

公开(公告)号：CN101159277A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710149300.6

申请日：2007-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 许履尘 ,  J·A·曼德尔曼 ,  程慷果

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在半导体衬底上形成一种具有高纵横比的柱形p－i－n二极管的装置。通过在位于所述柱的每个末端处的P+区域与N+区域之间的本征或轻掺杂的区域(i区域)形成每一个器件。所述p－i－n二极管的装置被嵌入在光学透明介质中。对于给定的表面面积，所述柱p－i－n二极管的装置比常规平面p－i－n二极管吸收更多的光能量。以阵列形式配置所述p－i－n二极管以使从一个p－i－n二极管反射的光子被邻近第一个p－i－n二极管的另一个p－i－n二极管所俘获和吸收，从而优化能量转换的效率。