公开(公告)号：CN117525044A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311596634.3

申请日：2023-11-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  何亨洋 ,  张辽辽 ,  陈新鹏 ,  潘鹏辉 ,  雷婧 ,  张雨婷 ,  武洋 ,  吴玮

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/08 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种三维电容单元结构、三维电容及其芯片立体集成结构，包括晶圆；晶圆上刻蚀形成有错位式六边形排布三齿齿轮状硅柱阵列，硅壁上形成有带硅壁凸起；硅柱、硅壁和凹槽的表面生长有晶圆绝缘层；晶圆绝缘层上生长有三维电容层；各个硅柱顶端，以及硅壁凸起顶端设置有第一分布式电极和第二分布式电极；第一分布式电极和第二分布式电极连接第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层；第一平面金属再分布层和第二平面金属再分布层连接焊盘。通过采用三齿齿轮状硅柱在硅柱阵列周期不变的情况下，增大了硅柱侧壁面积，有利于进一步提高电容密度，并且仍然能保证凹槽间隙的均匀性。

公开(公告)号：CN115425019A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211058003.1

申请日：2022-08-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  赵超 ,  张庆学 ,  何亨洋 ,  张辽辽 ,  张宁 ,  胡佳伟 ,  霍瑞霞 ,  南旭惊 ,  武洋

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/49 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开了一种多芯片桥接集成结构及其组装方法，集成结构包括若干电路单元，电路单元中的第一芯片通过第一微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片转接板连接部的外引脚通过第二微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片封装基板连接部的外引脚通过焊柱阵列键合在封装基板上，转接板通过焊球构成的焊球阵列键合在封装基板上，所述第一芯片和第二芯片之间通过第一微凸点、转接板上的金属布线和第二微凸点构成的电互连通路实现，所述转接板上开设有若干导电通道。在芯片结构需要阵列式扩展时，电路单元能够沿横向和/或纵向扩展，转接板的面积不需要成倍的相应扩展，能够提高转接板在工作过程中的可靠性，保证转接板良率，并且降低成本。

公开(公告)号：CN114496939A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210082500.9

申请日：2022-01-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李朝 ,  李宝霞 ,  吴玮 ,  王凯 ,  张辽辽 ,  梅志鹏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种微模组塑封结构及其制造方法，微模组塑封结构包括芯片、倒装凸点、第一焊盘、第二焊盘、塑封材料、焊球和TSV结构体；第一焊盘位于TSV结构体的上表面，第二焊盘位于TSV结构体的下表面，芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在第二焊盘上植球形成焊球，塑封材料在TSV结构体上表面对芯片塑封成型。将芯片通过倒装凸点键合在第一焊盘上，在TSV结构体上表面上对芯片进行塑封成型，有效降低了在测试、拿持、转移和后续的加工中对芯片损坏的风险，同时利用传统塑封手段解决了微模组的塑封问题，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113410196A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110662033.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 周黎阳 ,  王挥 ,  吴道伟 ,  杨芳 ,  张辽辽

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种基于硅转接基板的PROM与FPGA集成结构及其制备方法，TSV硅转接基板上依次堆叠有FPGA管芯、转接板和PROM管芯，TSV硅转接基板、FPGA管芯、转接板和PROM管芯之间采用引线键合。在TSV硅转接基板上依次堆叠粘接FPGA管芯、转接板和PROM管芯；再采用金丝球焊工艺，将FPGA芯片Pad与TSV硅转接基板上Pad、PROM芯片Pad与转接板上Pad和转接板上Pad与TSV硅转接基板上Pad依次进行引线缝合，完成集成结构的制备。在硅片上高效的集成了FPGA管芯和PROM管芯，具有体积小、功耗低、性能优的优点。

公开(公告)号：CN114496960A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210116516.7

申请日：2022-02-07

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张辽辽 ,  吴道伟 ,  唐磊 ,  刘建军 ,  姚华

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法，属于集成电路封装技术领域，包括：TSV硅转接基板、TSV硅基腔体转接基板、转接基板间互连结构、TSV硅转接基板外接焊球、第一底部填充结构、第二底部填充结构、微电子芯片和芯片与转接板互连结构；TSV硅基腔体转接基板通过转接基板间互连结构与TSV硅转接基板连接，且微电子芯片通过芯片与转接板互连结构分别与二者连接，第一底部填充结构位于TSV微电子芯片与TSV硅转接基板中间，第二底部填充结构位于两基板中间，该多芯片集成封装结构，缩小了系统封装尺寸、提高了互联密度、缩短了互连距离、降低了传输延时、提高了带宽、提升了电源效率。

公开(公告)号：CN113990815A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111267198.6

申请日：2021-10-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李宝霞 ,  李朝 ,  梅志鹏 ,  吴玮 ,  张辽辽

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种硅基微模组塑封结构及其制备方法，能够兼顾优良电气性能和强韧的机械性能，充分发挥TSV硅转接基板布线密度高、同半导体芯片热匹配性好，多芯片集成密度高的优势，且成品率高，经济性好。包括TSV硅转接基板、至少一个倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片、TSV硅转接基板上表面的无源元件、包封在除TSV硅转接基板下表面外其余五个表面的塑封体；其中，倒装在TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片的背面裸露在塑封体外，多个芯片或复合芯片背面之间以及芯片或复合芯片背面与TSV硅转接基板上表面的塑封体表面均处于同一平面内，无源元件的表面低于TSV硅转接基板上表面的芯片或复合芯片背面。