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公开(公告)号：CN116301159A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310288936.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，公开了一种低温漂的双极带隙基准电压源，包括带隙基准模块、温度补偿模块和直流偏置模块；温度补偿模块与带隙基准模块连接，直流偏置模块与带隙基准模块和温度补偿模块均连接；带隙基准模块用于生成一阶补偿的带隙基准电压；温度补偿模块用于生成高阶PTAT电流，并通过高阶PTAT电流补偿带隙基准电压中负温度系数的高阶项，得到低温漂的带隙基准电压；直流偏置模块用于生成第一偏置电流和第二偏置电流，并分别发送至带隙基准模块和温度补偿模块。可让电路在不同温度的工作状态下，使带隙基准电压源输出的基准电压不受温度的变化，具有低温漂、适应双极型工艺的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性。
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公开(公告)号：CN117156965A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311101565.4
申请日：2023-08-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，公开了一种电阻、修调方法、高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，通过电阻本体和调制区组成刀状电阻，电阻本体和调制区的顶部以及电阻本体的底部均设置有金属连丝，调制区上开设有粗调电阻切割部A和细调电阻切割部B，从而摆脱数字修调方案带来的额外芯片面积的负担，只在一块刀状金属薄膜电阻上即可完成粗调和精调，有效的节省了芯片面积。
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公开(公告)号：CN116388715A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310378296.X
申请日：2023-04-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种仪表放大器超低增益误差修调电路及方法。电阻R3的一端连接仪表放大器的RG1端，另一端连接节点A；电阻R4的一端连接节点A，另一端连接节点B；电阻R5的一端连接节点B，另一端连接仪表放大器的RG2端；电阻R6的一端连接节点A，另一端连接仪表放大器的RG2端。在不影响电路功能的前提下，本发明一方面可通过最小精度2Ω/步的粗修调调整电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值；另一方面通过并联精修调网络实现对电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值0.01Ω/步的高精度调整，两者配合可将仪表放大器增益误差控制在0.1％以下。
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公开(公告)号：CN116301152A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310146155.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种超低电压输出的基准电路结构，包括启动电路，所述启动电路输出端分别连接有PTAT电流产生电路和基准电压产生电路；所述PTAT电流产生电路的输出端连接基准电压产生电路；所述启动电路用于建立起始工作点，所述PTAT电流产生电路包括比例恒流源电路，用于产生一个正比于绝对温度的电流，并将该电流镜像到基准电压产生电路；所述基准电压产生电路用于输出一个低压基准；本申请的基准电路结构输入电源电压低于1.65V，基准电压可低至500mV，远远低于现有技术中的带隙基准电压，适用于低压、低功耗的LDO系统；可以满足低压、低功耗的线性稳压器的需求。
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公开(公告)号：CN109887912A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910168453.8
申请日：2019-03-06
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路，本发明克服了由于传统二极管静电保护结构存在输入/输出端口到正电源存在低阻通道而无法满足冷备份应用需求。本发明中两个端口正电源不存在低阻通路，因此芯片可以满足冷备份应用的需求。同时，双极性晶体管Q1和双极性晶体管Q2加快了静电能量的泄放，可以有效提高芯片的抗静电能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116260105A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310113984.3
申请日：2023-02-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种双极欠压锁定保护电路，包括电阻比例电流镜和启动电路，电阻比例电流镜包括LPNP1管、LPNP2管和LPNP3管，LPNP1管发射极通过电阻R1与电源Vcc连接，LPNP2管发射极通过电阻R2与电源Vcc连接；LPNP2管与LPNP3管共基极，LPNP2管集电极LPNP3管发射极连接，LPNP3集电极通过电阻R3接地；LPNP2管集电极与偏置电路以及电流源连接；偏置电路和电流源分别与达林顿管的集电极和基极连接，达林顿管的发射极与电阻R9第一端连接，R9第二端与NPN19管的集电极连接，NPN19管的基极与集电极连接，发射极接地；具有工艺简单、功耗低、阈值电压精度高、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN111968971B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010889839.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN113014208A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110271708.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种输入端口相位翻转保护电路，包括电阻R5、电流源Iss、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8和三极管Q9；三极管Q5的集电极连接负电源，三极管Q5的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q5的发射极连接三极管Q6的发射极，三极管Q6的基极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端分别连接Q6的集电极、三极管Q7的基极和三极管Q7的发射极，电阻R5的一端连接电流源Iss的一端，电流源Iss的另一端连接正电源；三极管Q7的集电极分别连接三极管Q8的基极和三极管Q9的基极，三极管Q8的集电极和三极管Q9的集电极均连接正电源；三极管Q8的发射极连接运算放大器的正向输入对管的基极，三极管Q9的发射极连接运算放大器的反向输入对管的基极。
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公开(公告)号：CN111968971A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010889839.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN116466783A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310287809.6
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种双极带隙基准结构及工作方法，属于电源管理领域，具体属于模拟集成电路领域，通过采用两个相同的PNP晶体管，可产生相等的支路电流，从而使得两个NPN晶体管的集电极电流相等，生成的与温度正相关的电流，在流经电阻R2，产生与温度正相关电压，将与温度正相关电压与PNP晶体管Q2的VBE结压降叠加，得到并输出不受电源电压变化影响的带隙基准电压；本结构设计简单，能够减小电流镜失配的影响，具有功耗低、可靠性好、适应双极型工艺、芯片面积小、低成本的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性，并且可广泛应用在各种电源类管理和驱动类芯片中，具有良好的应用前景和经济效益。
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