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发明公开
电阻、修调方法、高共模抑制比与参考端单位增益设计方法审中-实审

公开(公告)号：CN117156965A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311101565.4

申请日：2023-08-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈蒙 , 尤路 , 张鑫 , 郝婕

IPC: H10N97/00 , G06F17/10 , H01L23/64 , H01L21/66

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，公开了一种电阻、修调方法、高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，通过电阻本体和调制区组成刀状电阻，电阻本体和调制区的顶部以及电阻本体的底部均设置有金属连丝，调制区上开设有粗调电阻切割部A和细调电阻切割部B，从而摆脱数字修调方案带来的额外芯片面积的负担，只在一块刀状金属薄膜电阻上即可完成粗调和精调，有效的节省了芯片面积。

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