公开(公告)号：CN109887912B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910168453.8

申请日：2019-03-06

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 尤路 ,  魏海龙 ,  陈蒙

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路，本发明克服了由于传统二极管静电保护结构存在输入/输出端口到正电源存在低阻通道而无法满足冷备份应用需求。本发明中两个端口正电源不存在低阻通路，因此芯片可以满足冷备份应用的需求。同时，双极性晶体管Q1和双极性晶体管Q2加快了静电能量的泄放，可以有效提高芯片的抗静电能力。

公开(公告)号：CN117156965A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311101565.4

申请日：2023-08-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈蒙 ,  尤路 ,  张鑫 ,  郝婕

IPC: H10N97/00 ,  G06F17/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，公开了一种电阻、修调方法、高共模抑制比与参考端单位增益设计方法，通过电阻本体和调制区组成刀状电阻，电阻本体和调制区的顶部以及电阻本体的底部均设置有金属连丝，调制区上开设有粗调电阻切割部A和细调电阻切割部B，从而摆脱数字修调方案带来的额外芯片面积的负担，只在一块刀状金属薄膜电阻上即可完成粗调和精调，有效的节省了芯片面积。

公开(公告)号：CN109887912A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910168453.8

申请日：2019-03-06

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 尤路 ,  魏海龙 ,  陈蒙

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种面向冷备份系统双极型集成电路应用的静电保护电路，本发明克服了由于传统二极管静电保护结构存在输入/输出端口到正电源存在低阻通道而无法满足冷备份应用需求。本发明中两个端口正电源不存在低阻通路，因此芯片可以满足冷备份应用的需求。同时，双极性晶体管Q1和双极性晶体管Q2加快了静电能量的泄放，可以有效提高芯片的抗静电能力。