公开(公告)号：CN116779667A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210811216.0

申请日：2022-07-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  小林仁 ,  小野村正明 ,  矶部康裕 ,  洪洪 ,  关口秀树 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778

Abstract: 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。

公开(公告)号：CN114256182A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110016194.4

申请日：2021-01-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林仁

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L29/778

Abstract: 一种可靠性优异的半导体装置，具备具有半导体层的半导体元件及设在半导体元件上的布线层，布线层具有第一至第三电极、绝缘膜、第一及第二电极焊盘，第一至第三电极位于半导体元件与绝缘膜之间，第二电极和第一电极焊盘绝缘，第一电极和第二电极焊盘绝缘，第一电极和第一电极焊盘电连接，第二电极和第二电极焊盘电连接，从第一电极和第一电极焊盘连接的部分的第一电极焊盘的第一面到半导体层的距离比从第二电极和第一电极焊盘绝缘的部分的第一电极焊盘的第一面到半导体层的距离大，从第二电极和第二电极焊盘连接的部分的第二电极焊盘的第一面到半导体层的距离比从第一电极和第二电极焊盘绝缘的部分的第二电极焊盘的第一面到半导体层的距离大。

公开(公告)号：CN109119467A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810047268.9

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供制造容易的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体板；第1电极部件，设置在半导体板内；第1绝缘膜，设置在半导体板的第1面上，覆盖第1电极部件；第1焊盘，设置在第1绝缘膜上，连接于第1面；第2焊盘，设置在第1绝缘膜上，与第1焊盘分离；以及接触件，将第2焊盘连接到第1电极部件。第1电极部件具有配置在第1焊盘的正下方区域的第1部分和配置在第2焊盘的正下方区域的第2部分。第1部分中的宽度方向两端部的上表面位于比第1部分中的宽度方向中央部的上表面靠上方的位置。第2部分的上表面中的宽度方向端部与宽度方向中央部的高度差小于第1部分的上表面中的宽度方向端部与宽度方向中央部的高度差。

公开(公告)号：CN103579311A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310068994.6

申请日：2013-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林仁

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/4236

Abstract: 本发明的半导体装置具备在第1方向上延伸的半导体部、控制电极和第1电极。控制电极在与第1方向正交的第2方向上与半导体部分离设置。半导体部包含第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域和第2导电型的第4半导体区域。第1半导体区域具有第1导电型。第2半导体区域设在第1半导体区域之上并与控制电极相对。第3半导体区域设在第2半导体区域之上，杂质浓度比第1半导体区域高。第4半导体区域与第3半导体区域并排，杂质浓度比第2半导体区域高。第1电极与第3半导体区域以及第4半导体区域导通。第4半导体区域偏向设置于半导体部的与控制电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN103000690A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210070135.6

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体层；第二导电型的第一半导体区域，设置在所述半导体层之上；以及第一导电型的第二半导体区域，选择性地设置在所述第一半导体区域的表面。并且，在所述半导体层设置的沟槽的内部，设置有：第一控制电极，隔着绝缘膜与所述第一半导体区域及所述第二半导体区域对置，和第二控制电极，朝向所述沟槽的所述底面延伸，位于比所述第一控制电极靠近所述底面侧的位置。所述半导体层具有第一部分，该第一部分设置在所述第一半导体区域的端部与所述第二控制电极的所述底面侧的端部之间的深度处，与所述半导体层的其他部分相比第一导电型的载流子浓度低。

公开(公告)号：CN1812129A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510135767.6

申请日：2005-12-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上月繁雄 ,  奥村秀树 ,  斎藤涉 ,  泉沢优 ,  盐见正彦 ,  小林仁 ,  都鹿野健一 ,  柳泽晓 ,  吉冈裕典 ,  木村学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7811

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的结构是，在成为多个MOSFET单元的公用漏极的第一导电型半导体衬底上，形成具有比该半导体衬底低的杂质浓度的中间半导体层。在此中间半导体层上，形成由具有比中间半导体层低的杂质浓度的第一导电型半导体区域构成的基柱区域。

公开(公告)号：CN1455446A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03122458.X

申请日：2003-04-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  小林仁 ,  土谷政信 ,  大泽明彦 ,  相田聪 ,  上月繁雄 ,  泉沢优

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

公开(公告)号：CN117747655A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310175536.6

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  小林仁 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  关口秀树 ,  大野哲也 ,  小野村正明

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备氮化物半导体元件、第一二极管以及第二二极管，氮化物半导体元件包括导电性的安装基座、形成于安装基座之上的半导体基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一主电极、第二主电极、第一栅极电极和第二栅极电极，所述第一二极管包括与所述安装基座电连接的第一阳极电极和与所述第一主电极电连接的第一阴极电极，所述第二二极管包括与所述安装基座电连接的第二阳极电极和与所述第二主电极电连接的第二阴极电极。

公开(公告)号：CN115117166A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110842431.2

申请日：2021-07-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林仁 ,  矶部康裕 ,  洪洪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式提供可靠性出色的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和元件分离区域；第一绝缘膜，设置在半导体层上；第一电极，设置在第一绝缘膜上，并沿第一方向延伸；第二电极，设置在半导体层上，在与第一方向交叉的第二方向上排列并沿第一方向延伸；第三电极，设置在半导体层上，在第二方向上排列并沿第一方向延伸；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜与半导体层之间，沿第二方向夹着第三电极；第一场板电极，设置在第一电极上，与第一电极连接；第二场板电极，设置在第一场板电极上，与第二电极连接；以及第三场板电极，设置在第三电极上，与第三电极连接。第二绝缘膜从元件分离区域上延伸至元件区域上的一部分。

公开(公告)号：CN114172123A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110029580.7

申请日：2021-01-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  小林仁 ,  大野哲也 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  岩井正明

IPC: H02H7/20 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H02M7/537

Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。