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公开(公告)号：CN119846748A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510225380.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了基于双相位杂化设计的圆偏振复用太赫兹超表面及相位轮廓设计方法，属于超表面领域，包括呈周期性排布的超原子单元，超原子单元包括硅衬底以及设置于硅衬底上的非对称硅谐振器，非对称硅谐振器为引入错位和内旋转的十字错位结构。采用上述基于双相位杂化设计的圆偏振复用太赫兹超表面及相位轮廓设计方法，通过打破硅谐振器的镜像对称性并保留C2对称性，获得了透射波中可控的线偏振转化效应，实现了偏振依赖的双功能光学操控，兼具高性能、动态可调和集成化优势，为下一代紧凑型光学系统提供了创新设计思路。
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公开(公告)号：CN118586058B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410715815.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、构建线性传输琼斯矩阵；S2、基于线性传输琼斯矩阵，设定超单元结构的筛选规则；S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布；S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布，构建超表面单元；S5、基于筛选规则，筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度，相位从0到2π全覆盖的单元库；S6、基于单元库，利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，实现了在线偏振太赫兹光入射下，超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处，通过偏振叠加原理，从而实现不同偏振态的生成。
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公开(公告)号：CN119620252A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510076661.0
申请日：2025-01-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了反对称手性超构表面及相位振幅调控的应用、验证方法，属于微纳光学领域，包括由上到下依次设置的表层、中间层和背板层，表层由左半圆环和右半圆环组成，其中左半圆环朝向右半圆环的一侧的两端均朝向圆心的方向弯折形成第一凸起和第二凸起，右半圆环朝向左半圆环的一侧的其中一端向圆心的方向弯折形成第三凸起，第三凸起与第一凸起关于圆心对称布置，且第三凸起的长度等于第一凸起的长度，第一凸起的长度大于第二凸起的长度。采用上述反对称手性超构表面及相位振幅调控的应用、验证方法，通过打破C2(二阶旋转)对称性及镜像对称性，不仅可以通过手性相位实现自旋解耦合相位控制，还能利用圆二色性来调节反射波的幅度。
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公开(公告)号：CN118586058A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410715815.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，属于光学器件领域，包括以下步骤：S1、构建线性传输琼斯矩阵；S2、基于线性传输琼斯矩阵，设定超单元结构的筛选规则；S3、设计超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布；S4、使用全硅电介质材料依据设计的超表面的相位、光场初始相位和光场初始面相位分布，构建超表面单元；S5、基于筛选规则，筛选超表面单元组成以π/8为相位梯度，相位从0到2π全覆盖的单元库；S6、基于单元库，利用自动布局算法构建超表面结构。本发明采用上述太赫兹圆偏振复用长焦深偏振态纵向演化超构器件设计方法及超构器件，实现了在线偏振太赫兹光入射下，超表面分别将左右旋分量聚焦于不同焦焦深处，通过偏振叠加原理，从而实现不同偏振态的生成。
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公开(公告)号：CN117330514B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311283130.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弱值放大药物手性多功能检测装置及方法，属于光学领域，包括紫外光谱检测光路、旋光性检测光路和圆二色谱检测光路；紫外光谱检测光路包括光源发生器、光阑、半波片、第一分光镜以及对应第一分光镜的第一出射端设置的第二比色皿和第二光谱仪；旋光性检测光路包括设置于第一分光镜的第二出射端的第一格兰偏振镜、第一比色皿、第二分光镜以及对应第二分光镜的第一出射端设置的第三格兰偏振镜和光功率计；圆二色谱检测光路包括对应第二分光镜的第二出射端设置的四分之一波片、第二格兰偏振镜和第一光谱仪。本发明采用上述基于弱值放大药物手性多功能检测装置及方法，集成了紫外吸收谱、圆二色谱和旋光谱检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116755264B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310741896.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑VO2波导的磁光‑热光调控方法，涉及IF位移调控领域，包括以下步骤S1：引入拉盖尔‑高斯光束；S2：线偏振光束在介质的界面处发生折射和反射时，使线偏振光束的左旋、右旋圆偏振分量相互分离；S3：计算线偏振拉盖尔‑高斯光束的角谱分量；S4：通过平面波角谱分析法，建立入射光束和反射光束角谱分量之间的关系；S5：计算实际光束的左旋与右旋偏振角谱分量；S6：通过Drude模型描述太赫兹波段的石墨烯及VO2介电张量矩阵；S7：计算结构的反射系数；S8：代入IF位移公式，实现对拉盖尔‑高斯光束的IF位移仿真，本发明采用上述方法，实现磁场和温度对IF位移的有效调制，为开发高灵敏度的光学传感器和参数的灵敏检测提供了新途径。
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公开(公告)号：CN116573936B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310850114.4
申请日：2023-07-12
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。
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公开(公告)号：CN110672525B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911009370.0
申请日：2019-10-23
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种溶液浓度测量装置、方法及溶液传感灵敏度测量方法。激光器用于生成不同波长的激光光源，激光器产生的激光经半波片、第一透镜、第一偏振镜进入携带微流体芯片的棱镜，以反射出A光束和B光束；A光束和B光束经光阑、第二偏振镜、第二透镜进入CCD图像传感器；第一透镜为聚焦透镜；棱镜斜面依次贴合设置有样品、微流体芯片；永磁体设置在棱镜下方和/或上方，磁场方向与棱镜竖轴平行。本发明的有益效果为通过在棱镜和第二偏振镜之间增加光阑，提高了光斑的成像质量；通过设置永磁体，增加与棱镜竖轴平行的磁场方向，不仅可以消除背景噪音，且提高了测量的精度；测量出来的磁光光自旋霍尔效应的值相比于光自旋霍尔效应的值更大、更准确。
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公开(公告)号：CN118955123A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411060790.2
申请日：2024-08-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料技术领域。宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料，化学通式为：(Na0.3+xBi0.38‑0.2xSr0.28‑0.7x)(Ti1‑xNbx)O3，0≤x≤0.1。制备方法包括一次球磨，900℃预烧，二次球磨，造粒、筛分，细粉8MPa干压成型，550℃高温排胶，粗粉掩埋空气气氛下1100℃‑1130℃烧结，得到陶瓷电容器介质材料。采用本发明所述的宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法，能够解决现有的钛酸铋钠基压电陶瓷介电稳定性差、低介电常数以及高损耗，制备工艺条件苛刻的问题。
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