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公开(公告)号：CN106997874A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201611093776.8
申请日：2016-12-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/4875 , H01L23/3735 , H01L23/48 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2712 , H01L2224/2746 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29561 , H01L2224/2969 , H01L2224/321 , H01L2224/32227 , H01L2224/32501 , H01L2224/83002 , H01L2224/83065 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83395 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L23/488 , H01L21/4814 , H01L23/49822 , H01L24/80 , H01L2224/80048 , H01L2224/80355
Abstract: 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
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公开(公告)号：CN104517865A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410386288.0
申请日：2014-08-07
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L21/4814
Abstract: 提供半导体装置的制造方法，能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下，还原被接合构件及焊接材料，得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括：将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛，并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序；以及在加热工序之后保持于接合温度，并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。
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公开(公告)号：CN104167370A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410142784.1
申请日：2014-04-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/057 , H01L23/24 , H01L23/49861 , H01L23/544 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种能够降低对树脂壳体与端子进行一体设置的半导体装置的制造成本的半导体装置制造方法及半导体装置。半导体装置（10）包括设有多个具有脚部（17a）的端子（17）的树脂壳体（15）。在制造该树脂壳体（15）时，作为对树脂壳体（15）进行成型的模具（20），使用设有用于将多个端子（17）分别固定到规定位置上的突起（21a）的模具（20）。将多个端子（17）分别与该突起（21a）相匹配地保持在模具（20）内，并在该模具（20）中注入树脂，对多个端子（17）和树脂壳体（15）进行一体成型。
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公开(公告)号：CN105470154B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201510571992.8
申请日：2015-09-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/607 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造装置及半导体装置，在对半导体装置的构成构件进行超声波接合时，能够可靠地将构件固定起来，因而能够获得稳定的接合状态。一种半导体装置的制造装置(1)，该半导体装置包括板状构件(21)和接合构件(23)，该半导体装置的制造装置包括：板状治具(11)，其用于载置该板状构件(21)；第1固定治具(12)和第2固定治具(13)，它们具有能抵接在板状构件(21)的宽度方向端部上缘的斜面，并且构成为靠近该板状构件(21)的宽度方向端部地固定于该板状治具(11)；超声变幅器(14)，其能一边将接合构件(23)向板状构件(21)按压，一边在板状构件(21)的宽度方向上施加超声波振动。
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公开(公告)号：CN104517860B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410394901.3
申请日：2014-08-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
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公开(公告)号：CN103733333A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039469.5
申请日：2012-09-03
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/055 , H01L21/52 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置由金属基底（6），与金属基底（6）相接合的布线基板（2），与布线基板（2)的电路图案（2a、2b）相接合的半导体芯片（1）及控制端子（5），以及与金属基底（6）相粘接的树脂壳体（20）构成。控制端子（5）由贯通树脂壳体（20）的盖部（21）的贯通部（5a），与贯通部（5a）相连的联结部（5b），以及与联结部（5b）相连的连接部（5c）构成。在控制端子（5）的贯通盖部（21）的部分上设有阻止部（5d）及切除部（5e）。阻止部（5d）与形成在盖部（21）的表面的阶梯部（21b）相接触。当贯通部（5a）贯通树脂壳体（20）的盖部（21）时，阻止部（5d）被收纳在切除部（5e）内。联结部（5b）与设置在盖部（21）的背面的凸部（21c）相接触。
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公开(公告)号：CN101254561B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810082231.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K3/3452 , B23K1/20 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32188 , H01L2224/32225 , H01L2224/48 , H01L2224/83051 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19043 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K2203/0315 , H05K2203/107 , Y10T29/49126 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种钎焊接合方法及使用该方法的半导体装置的制作方法，在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上，照射激光形成氧化膜，通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合。即使进行除去软钎料中包含的焊剂残渣的药品清洗，软钎料抗蚀剂也不剥离。
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公开(公告)号：CN106997874B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201611093776.8
申请日：2016-12-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
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公开(公告)号：CN111952200A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010249079.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/67 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/46
Abstract: 本发明提供使用简易结构的段差治具的半导体模块的制造方法。提供一种半导体模块的制造方法，其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法，包括：通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。提供一种半导体模块，其具备鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体，散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
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公开(公告)号：CN111834272A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010110969.X
申请日：2020-02-24
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种应对半导体芯片的高密度安装的组装治具套件和半导体模块的制造方法。提供一种组装治具套件，其是具有多个半导体芯片的半导体模块的组装治具套件，具备：第一外框治具、以及被第一外框治具定位且具有与第一外框治具对应的分割形状的多个内片治具，多个内片治具中的一个内片治具具有用于对多个半导体芯片进行定位的多个开口部。另外，提供一种使用了组装治具套件的半导体模块的制造方法。
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