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公开(公告)号：CN111834272A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010110969.X
申请日：2020-02-24
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种应对半导体芯片的高密度安装的组装治具套件和半导体模块的制造方法。提供一种组装治具套件，其是具有多个半导体芯片的半导体模块的组装治具套件，具备：第一外框治具、以及被第一外框治具定位且具有与第一外框治具对应的分割形状的多个内片治具，多个内片治具中的一个内片治具具有用于对多个半导体芯片进行定位的多个开口部。另外，提供一种使用了组装治具套件的半导体模块的制造方法。
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公开(公告)号：CN111052510A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201980004079.6
申请日：2019-02-05
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 能够防止接合构件在接触部件的中空孔中爬升。半导体装置(10)具有层叠基板(14)和接触部件(17)，层叠基板(14)具备电路板(13a)和形成有电路板(13a)的绝缘板(11)，接触部件(17)在内部形成有筒状的中空孔(17f)且其开口端部(17f2)介由接合构件(19)而与电路板(13a)的正面的接合区(A2)接合。而且，在这样的半导体装置(10)中，接触部件(17)的与接合构件(19)的接触区(A1)的对接合构件(19)的润湿性与电路板(13a)的至少接合区(A2)的对接合构件(19)的润湿性大致相等。因此，能够抑制因将接触部件(17)与电路板(13a)接合时的加热导致的接合构件(19)在接触部件(17)的中空孔(17f)中的爬升。
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公开(公告)号：CN111584474B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911409782.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 万·阿札·宾·万·马特 , 横山岳
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。能够可靠地接合接触部件。将设定于平板状的按压工具(4)的主面的按压区域(4a)配置于接触部件(2a～2c)上。然后，边加热，边使按压工具(4)的按压区域(4a)随着在层叠基板(1)产生的翘曲而倾斜，将接触部件(2a～2c)朝向层叠基板(1)按压。由此，在用于接合接触部件(2a～2c)的按压时，即使因加热而在层叠基板(1)产生翘曲，接触部件(2a～2c)的位置偏移，也能够将接触部件(2a～2c)可靠地朝向层叠基板(1)按压。
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公开(公告)号：CN112334267A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202080003690.X
申请日：2020-01-27
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供可靠性高的钎焊接合部。一种钎焊接合部，其包含：钎焊接合层，其是以Sn为主成分、且还包含Ag和/或Sb和/或Cu的软钎料熔融而得到的；和，被接合体，其在与前述钎焊接合层接触的表面上具备镀Ni‑P‑Cu层，前述镀Ni‑P‑Cu层以Ni为主成分，且包含0.5质量％以上且8质量％以下的Cu、和3质量％以上且10质量％以下的P，前述镀Ni‑P‑Cu层在与前述钎焊接合层的界面具有微晶层，前述微晶层具备：包含NiCuP三元合金的微晶的相、包含(Ni，Cu)3P的微晶的相、和包含Ni3P的微晶的相。
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公开(公告)号：CN107431053B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201680012709.0
申请日：2016-09-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 防止对半导体芯片的损伤而抑制半导体装置的散热性下降。具有：准备散热基座的工序(步骤S101)；对散热基座的背面进行喷丸处理的工序(步骤S102)；利用金属材料对散热基座的正面和背面进行镀覆的镀覆处理工序(步骤S103)；通过加热将进行了喷丸处理的散热基座、隔着焊料配置在散热基座的正面且具有绝缘板和设置在绝缘板的正面的电路板的层叠基板、以及隔着焊料配置在电路板上的半导体芯片进行焊料接合的工序。由此，能够在将半导体芯片、层叠基板、散热基座组装之前，通过喷丸处理对散热基座施加初始翘曲(向下凸起)，因此，不会对半导体芯片、焊料带来损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584474A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201911409782.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 万·阿札·宾·万·马特 , 横山岳
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。能够可靠地接合接触部件。将设定于平板状的按压工具(4)的主面的按压区域(4a)配置于接触部件(2a～2c)上。然后，边加热，边使按压工具(4)的按压区域(4a)随着在层叠基板(1)产生的翘曲而倾斜，将接触部件(2a～2c)朝向层叠基板(1)按压。由此，在用于接合接触部件(2a～2c)的按压时，即使因加热而在层叠基板(1)产生翘曲，接触部件(2a～2c)的位置偏移，也能够将接触部件(2a～2c)可靠地朝向层叠基板(1)按压。
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公开(公告)号：CN104979221B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510087712.6
申请日：2015-02-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 横山岳
IPC: H01L21/56 , H01L21/52 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/057 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85801 , H01L2924/00014 , H01L2924/0781 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供能够抑制施加到经嵌件注塑成型的引线框的引线端子上的应力，即便使引线端子的厚度变薄也能够提高引线键合性、提高可靠性的半导体装置的制造方法及半导体装置。使用上下金属模具夹持在引线端子的接合部上形成的夹持部的夹持用突起而将树脂壳体嵌件注塑成型，使在该树脂壳体的开口部内安装了半导体元件的具有布线图案的绝缘基板嵌合到树脂壳体并进行粘接，使半导体元件与引线端子的接合部之间和/或绝缘基板上的上述布线图案与引线端子的接合部之间用键合线进行电连接。
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公开(公告)号：CN104979221A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510087712.6
申请日：2015-02-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 横山岳
IPC: H01L21/56 , H01L21/52 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/057 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85801 , H01L2924/00014 , H01L2924/0781 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L21/565 , H01L21/52 , H01L23/3121 , H01L23/49544
Abstract: 本发明提供能够抑制施加到经嵌件注塑成型的引线框的引线端子上的应力，即便使引线端子的厚度变薄也能够提高引线键合性、提高可靠性的半导体装置的制造方法及半导体装置。使用上下金属模具夹持在引线端子的接合部上形成的夹持部的夹持用突起而将树脂壳体嵌件注塑成型，使在该树脂壳体的开口部内安装了半导体元件的具有布线图案的绝缘基板嵌合到树脂壳体并进行粘接，使半导体元件与引线端子的接合部之间和/或绝缘基板上的上述布线图案与引线端子的接合部之间用键合线进行电连接。
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公开(公告)号：CN104247012A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380019722.5
申请日：2013-08-21
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够减少键合引线的根数的半导体装置及其制造方法。半导体装置(30)具备两个以上的在第一主面和第二主面具有电极的半导体元件(4)。另外，该半导体装置(30)具备：电极板(6)，一侧的面经由第一接合材料层(10)与半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)接合且搭载于两个以上的半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)；导电板(1)，具有经由第二接合材料层(11)与半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)接合且连接于两个以上的半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)的半导体元件接合部(2)以及第一引线端子(3)。并且，用根据需要的粗细和/或根数的键合引线(5)连接电极板(6)的另一侧的面与第二引线端子(3a、3b)。
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公开(公告)号：CN112334267B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080003690.X
申请日：2020-01-27
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供可靠性高的钎焊接合部。一种钎焊接合部，其包含：钎焊接合层，其是以Sn为主成分、且还包含Ag和/或Sb和/或Cu的软钎料熔融而得到的；和，被接合体，其在与前述钎焊接合层接触的表面上具备镀Ni‑P‑Cu层，前述镀Ni‑P‑Cu层以Ni为主成分，且包含0.5质量％以上且8质量％以下的Cu、和3质量％以上且10质量％以下的P，前述镀Ni‑P‑Cu层在与前述钎焊接合层的界面具有微晶层，前述微晶层具备：包含NiCuP三元合金的微晶的相、包含(Ni，Cu)3P的微晶的相、和包含Ni3P的微晶的相。
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