公开(公告)号：CN101341584A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200680048312.3

申请日：2006-11-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。

公开(公告)号：CN1856869A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027351.6

申请日：2004-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  井下田真信 ,  山崎和良

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: 本发明提供一种在处理容器内、在规定的处理温度下、在被处理基板表面形成氧化膜的成膜方法，其包括将上述基板升温至上述规定的处理温度的升温工序，上述升温工序包括在上述基板的温度达到450℃的温度之前、将上述基板保持在含氧的气氛中的工序。

公开(公告)号：CN119895550A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067090.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池尻将拓 ,  秋山浩二 ,  藤原直宪 ,  山崎和良

IPC: H01L21/316 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有如下步骤：在基板上形成下部电极；在下部电极上形成由包含4价金属阳离子的氧化物构成的高介电常数膜；在高介电常数膜上形成由包含5价金属阳离子的氧化物构成的氧化物膜；通过使高介电常数膜与氧化物膜反应，形成包含4价金属阳离子的氧化物与包含5价金属阳离子的氧化物混合而成的具有导电性的混合层；以及形成上部电极。

公开(公告)号：CN100524822C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580000583.7

申请日：2005-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥毅 ,  下村晃司 ,  中村源志 ,  青山真太郎 ,  山崎和良

IPC: H01L29/78 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供在硅基板(1)上形成等效氧化层厚度在1.45nm以下的由硅酸铪类材料构成的栅极绝缘膜(4)的方法。该方法包括：洗净硅基板表面，使其成为不存在氧的清洁面的工序；在所述硅基板的清洁面上形成由硅氧化物或硅氧氮化物构成的底膜的工序；通过使用烷氧类有机铪化合物和含硅原料的CVD工艺，在所述底膜上形成硅酸铪膜的工序；和在所述硅酸铪膜上实施氮化处理的工序。根据该方法，能够得到即使膜厚度薄、表面粗糙度也良好的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN100463120C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200480008004.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  神力博

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明涉及一种等离子体点火方法，该方法解决将处理容器的内部抽真空的状态下停止运转的情况下，即使重启运行也会出现不容易点火等离子体的现象的问题。向处理容器(21)中流通含氧气体，一边排放出所述处理容器(21)内部的气体，一边用紫外光照射所述含氧气体。之后，驱动远距离等离子体源(26)，点火等离子体。

公开(公告)号：CN101356626A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN108796471B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201810400288.X

申请日：2018-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 芦泽宏明 ,  藤井康 ,  高桥毅 ,  洪锡亨 ,  山崎和良 ,  中村秀雄 ,  布重裕 ,  神尾卓史

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。

公开(公告)号：CN102725834B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180007086.5

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一 ,  山崎和良 ,  野口秀幸 ,  田村大辅 ,  齐藤智博

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 向等离子体氮化处理装置（100）的处理容器（1）中，导入包括氮气和稀有气体的处理气体，处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min（sccm）]时处于1.5（mL/min）/L以上13（mL/min）/L以下的范围内，在处理容器（1）内产生含氮等离子体，更换晶片W并连续进行氮化处理。氮气和稀有气体的体积流量比（氮气/稀有气体）优选为0.05以上0.8以下的范围内。

公开(公告)号：CN101356626B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN101221897A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810008826.7

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：在处理容器中进行被处理基板的第一处理的第一工序；将所述被处理基板从所述处理容器中搬出的第二工序；进行所述处理容器的氧除去处理的第三工序；将所述被处理基板搬入所述处理容器的第四工序；和进行所述被处理基板的第二处理的第五工序。