公开(公告)号：CN102725834B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180007086.5

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一 ,  山崎和良 ,  野口秀幸 ,  田村大辅 ,  齐藤智博

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 向等离子体氮化处理装置（100）的处理容器（1）中，导入包括氮气和稀有气体的处理气体，处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min（sccm）]时处于1.5（mL/min）/L以上13（mL/min）/L以下的范围内，在处理容器（1）内产生含氮等离子体，更换晶片W并连续进行氮化处理。氮气和稀有气体的体积流量比（氮气/稀有气体）优选为0.05以上0.8以下的范围内。

公开(公告)号：CN101681833A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN101681833B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880020112.6

申请日：2008-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  田村大辅

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。

公开(公告)号：CN106057666A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610208193.9

申请日：2016-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长友优 ,  石田竜宇 ,  田村大辅 ,  小岩幸介

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN102725834A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007086.5

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一 ,  山崎和良 ,  野口秀幸 ,  田村大辅 ,  齐藤智博

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 向等离子体氮化处理装置（100）的处理容器（1）中，导入包括氮气和稀有气体的处理气体，处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min（sccm）]时处于1.5（mL/min）/L以上13（mL/min）/L以下的范围内，在处理容器（1）内产生含氮等离子体，更换晶片W并连续进行氮化处理。氮气和稀有气体的体积流量比（氮气/稀有气体）优选为0.05以上0.8以下的范围内。

公开(公告)号：CN117917188B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380013510.X

申请日：2023-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介 ,  高桥阳 ,  田村大辅 ,  下村翔

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了一种用于对边缘环和静电吸盘之间供应的传热气体的泄漏量减少方法及等离子体处理装置。传热气体的泄漏量减少方法，包括：在具有静电吸盘的主体部上载置边缘环的工序；使所述静电吸盘吸附所述边缘环的工序；对所述边缘环进行升温的工序；对所述边缘环进行降温的工序；以及，反复进行多次所述进行升温的工序和所述进行降温的工序的工序。

公开(公告)号：CN117917188A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202380013510.X

申请日：2023-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介 ,  高桥阳 ,  田村大辅 ,  下村翔

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了一种用于对边缘环和静电吸盘之间供应的传热气体的泄漏量减少方法及等离子体处理装置。传热气体的泄漏量减少方法，包括：在具有静电吸盘的主体部上载置边缘环的工序；使所述静电吸盘吸附所述边缘环的工序；对所述边缘环进行升温的工序；对所述边缘环进行降温的工序；以及，反复进行多次所述进行升温的工序和所述进行降温的工序的工序。

公开(公告)号：CN106057666B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610208193.9

申请日：2016-04-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长友优 ,  石田竜宇 ,  田村大辅 ,  小岩幸介

IPC: H01L21/311 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。