公开(公告)号：CN100459061C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。

公开(公告)号：CN1254851C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02810326.2

申请日：2002-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博 ,  高桥毅

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种基板处理方法，其特征在于：包括从硅基板表面去除碳的工序、和平坦化所述去除了碳的硅基板表面的工序。

公开(公告)号：CN1666324A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03816208.3

申请日：2003-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  青山真太郎 ,  神力博

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

Abstract: 基板处理装置(100、40)备有由高频等离子体形成氮自由基和氧自由基的自由基形成部(26)、保持被处理基板(W)的处理容器(21)、和与自由基形成部连接并控制包含氮的第一原料气体和包含氧的第二原料气体的混合比，将所要混合比的混合气体供给自由基形成部的气体供给部(30)。通过向被处理基板表面供给混合比受到控制的氮自由基和氧自由基，在被处理基板表面上形成具有所要氮浓度的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1518761A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02805783.X

申请日：2002-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  青山真太郎 ,  神力博 ,  高桥毅

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 利用高频等离子体形成氮游离基，通过将所述氮游离基提供给包含氧的绝缘膜表面，使所述绝缘膜表面氮化。含有所述氧的绝缘膜具有0.4nm以下的膜厚，在将所述表面氮化后的绝缘膜上形成高介电体膜。所述氮游离基借助按照沿着所述绝缘膜的表面流动的方式而形成的气流而得以提供。

公开(公告)号：CN1446373A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN01814042.4

申请日：2001-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  本间孝治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种基片处理装置，具有处理容器、在所述处理容器中设置为夹着被处理基片而对置的第1及第2处理气体供给口、设置为与第1及第2处理气体流大略正交的切口状的第1及第2排气口。所述的第1及第2排气口在所述第1及第2处理气体供给口处，夹着所述被处理基片相对而置。第1处理气体从所述第1处理气体供给口向所述第1排气口的方向，沿着所述被处理基片表面流动，并吸附到所述被处理基片表面上。然后，第2处理气体从所述第2处理气体供给口向所述第2排气口的方向，沿着所述被处理基片表面流动，所述第2处理气体与先前吸附的第1处理气体分子反应，形成1个分子层的高电介质膜。

公开(公告)号：CN100388438C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03814509.X

申请日：2003-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  久保万身

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括：在硅基板上形成含有Si和氧的绝缘膜的工序；利用使用了有机金属原料的化学气相堆积法、在上述绝缘膜上堆积金属氧化物膜的工序，其中：进行上述堆积金属氧化膜的工序，使得上述金属氧化膜在堆积后不久的状态下成为结晶质。

公开(公告)号：CN100342501C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03807088.X

申请日：2003-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  荒见淳一

IPC: H01L21/31 ,  F16K5/04 ,  F16K51/02

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45548 ,  F16K5/04 ,  F16K5/0407 ,  F16K5/0414 ,  F16K51/02

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可将对排气反应容器排气时的排气端口的电导系数在ALD处理中设定得小，以便在所述反应容器内形成层流，在净化处理中设定得大，以便可在短时间内净化所述反应容器内。基板处理装置(40)的排气端口(201a、201b)具有沿大致垂直于所述层流的流动方向的方向延伸的裂缝形状。在所述排气端口上结合旋转阀(25A、25B)，该旋转阀配备具有对应于所述裂缝形状的裂缝状开口部的阀体。伴随所述旋转阀中阀体的旋转，电导系数变化。

公开(公告)号：CN1692477A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。

公开(公告)号：CN1643668A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807088.X

申请日：2003-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  荒见淳一

IPC: H01L21/31 ,  F16K5/04 ,  F16K51/02

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45548 ,  F16K5/04 ,  F16K5/0407 ,  F16K5/0414 ,  F16K51/02

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，可将对排气反应容器排气时的排气端口的电导系数在ALD处理中设定得小，以便在所述反应容器内形成层流，在净化处理中设定得大，以便可在短时间内净化所述反应容器内。基板处理装置(40)的排气端口(201a、201b)具有沿大致垂直于所述层流的流动方向的方向延伸的裂缝形状。在所述排气端口上结合旋转阀(25A、25B)，该旋转阀配备具有对应于所述裂缝形状的裂缝状开口部的阀体。伴随所述旋转阀中阀体的旋转，电导系数变化。

公开(公告)号：CN100463120C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200480008004.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  神力博

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明涉及一种等离子体点火方法，该方法解决将处理容器的内部抽真空的状态下停止运转的情况下，即使重启运行也会出现不容易点火等离子体的现象的问题。向处理容器(21)中流通含氧气体，一边排放出所述处理容器(21)内部的气体，一边用紫外光照射所述含氧气体。之后，驱动远距离等离子体源(26)，点火等离子体。