公开(公告)号：CN1926670A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006865.8

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN1926670B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200580006865.8

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN102725834A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007086.5

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一 ,  山崎和良 ,  野口秀幸 ,  田村大辅 ,  齐藤智博

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 向等离子体氮化处理装置（100）的处理容器（1）中，导入包括氮气和稀有气体的处理气体，处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min（sccm）]时处于1.5（mL/min）/L以上13（mL/min）/L以下的范围内，在处理容器（1）内产生含氮等离子体，更换晶片W并连续进行氮化处理。氮气和稀有气体的体积流量比（氮气/稀有气体）优选为0.05以上0.8以下的范围内。

公开(公告)号：CN101147244B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680009019.6

申请日：2006-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置的处理室内，将被处理基板载置在载置台上，一边利用加热单元通过载置台将被处理基板加热至700℃以上的处理温度，一边对被处理基板进行处理，在该基板处理方法中，将被处理基板搬入到处理室中，在将其载置在载置台上的状态下进行第一预加热，直至被处理基板到达规定温度，接着，使载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下进行第二预加热，此后，使基板支撑销下降，将被处理基板载置在载置台上，进行等离子体氧化处理等处理。

公开(公告)号：CN102725834B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180007086.5

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一 ,  山崎和良 ,  野口秀幸 ,  田村大辅 ,  齐藤智博

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 向等离子体氮化处理装置（100）的处理容器（1）中，导入包括氮气和稀有气体的处理气体，处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min（sccm）]时处于1.5（mL/min）/L以上13（mL/min）/L以下的范围内，在处理容器（1）内产生含氮等离子体，更换晶片W并连续进行氮化处理。氮气和稀有气体的体积流量比（氮气/稀有气体）优选为0.05以上0.8以下的范围内。

公开(公告)号：CN102181819A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110075945.6

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C8/36 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN101147244A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009019.6

申请日：2006-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高槻浩一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置的处理室内，将被处理基板载置在载置台上，一边利用加热单元通过载置台将被处理基板加热至700℃以上的处理温度，一边对被处理基板进行处理，在该基板处理方法中，将被处理基板搬入到处理室中，在将其载置在载置台上的状态下进行第一预加热，直至被处理基板到达规定温度，接着，使载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下进行第二预加热，此后，使基板支撑销下降，将被处理基板载置在载置台上，进行等离子体氧化处理等处理。