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公开(公告)号：CN108796471B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102414803A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018561.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/04 , H01J37/32082 , H01J2237/3387 , H01L21/0217 , H01L21/02247 , H01L21/28273 , H01L21/3211 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L27/11521 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种对于露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，以高氮化速率和高氮剂量对硅进行选择性等离子体氮化处理的方法。选择性等离子体氮化处理通过将处理压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，从高频电源(44)向载置台(2)的电极(42)供给对于被处理体的每单位面积为0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下的高频电力来进行。由该高频电力向晶片(W)施加偏压电压，得到高的Si/SiO2选择比。
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公开(公告)号：CN102403182A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110276265.0
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及等离子体处理方法。该等离子体处理装置是向载置被处理体的载置台的电极供给偏压用高频电力的方式的等离子体处理装置，抑制等离子体电位的振动，生成稳定的等离子体，并防止由金属制的相对电极的溅蚀导致产生污染。在盖构件(27)的内周侧形成有扩张突出部(60)。扩张突出部(60)面向等离子体生成空间(S)地形成，是起到隔着等离子体生成空间(S)与载置台(5)的电极(7)成对的相对电极的功能的主要部分。相对电极表面积与偏压用电极面积之比(相对电极表面积/偏压用电极面积)优选在1～5的范围内。
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公开(公告)号：CN110578130B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910440025.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。
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公开(公告)号：CN108796471A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810400288.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处理容器内供给原料气体的步骤；经由与载气相独立地设置的吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫原料气体的步骤；经由反应气体流路向处理容器内供给反应气体的步骤；以及经由吹扫气体流路向处理容器内供给吹扫气体来吹扫反应气体的步骤，在吹扫原料气体的步骤和吹扫反应气体的步骤中的至少一方中供给具有规定的功能的添加气体来作为吹扫气体的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107978541A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710969596.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/303 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。
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公开(公告)号：CN101842881B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980100872.2
申请日：2009-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32633
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。
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公开(公告)号：CN110578130A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910440025.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。
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公开(公告)号：CN102165568B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980137392.3
申请日：2009-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/31662 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/28211 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 硅氧化膜形成方法，在露出被处理体(W)的表面的硅上形成硅氧化膜。该方法包括：将被处理体载置到处理容器(1)内的载置台(2)上的工序；对处理容器内供给含氧的处理气体，生成处理气体的等离子体的工序；对载置台供给高频电力，对被处理体施加偏压的工序；和使等离子体与施加了偏压的被处理体作用来将硅氧化，形成硅氧化膜的工序。处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内。在形成硅氧化膜的工序中，处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内。高频电力的输出，设定在对于被处理体的面积为0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内。
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公开(公告)号：CN102396054A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016865.7
申请日：2010-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28247 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/28282 , H01L29/66833
Abstract: 公开了在等离子体处理装置的处理容器内使氢气和含氧气体的等离子体对在表面上露出了硅和金属材料的被处理体发挥作用，用该等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理的选择氧化处理方法，该选择氧化处理方法包括：气体导入工序，其将经由第一供给路径的第一惰性气体作为运载气体，开始供给来自氢气供给源的上述氢气的时刻以后，将上述等离子体点火之前，将经由与上述第一供给路径不同的第二供给路径的第二惰性气体作为运载气体，开始供给来自含氧气体供给源的上述含氧气体；等离子体点火工序，其在上述处理容器内将包括上述含氧气体和上述氢气的处理气体的等离子体点火；和选择氧化处理工序，其用上述等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理。
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