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公开(公告)号：CN109285831B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810691775.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器位于距离所述衬底相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。
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公开(公告)号：CN107093612B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710085743.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面；在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线，每条第二导电线在第一方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
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公开(公告)号：CN113206188A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011284446.3
申请日：2020-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器装置，包括：下接触插塞，其位于衬底上；以及数据存储结构，其位于下接触插塞上。数据存储结构包括顺序地堆叠在下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极。下接触插塞和数据存储结构在与衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度。下接触插塞的第一厚度为数据存储结构的第二厚度的大约2.0倍至3.6倍。
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公开(公告)号：CN107104122B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710090799.1
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括：多条第一导电线，彼此间隔开并在第一方向上延伸；多条第二导电线，彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，具有包括选择器件层、中间电极层、可变电阻层和顶电极层的结构；以及绝缘结构，在第二方向上与第一存储单元交替地布置在第二导电线下面，其中该绝缘结构具有比顶电极层的顶表面高的顶表面，第二导电线具有包括凸起部分和凹入部分的结构，该凸起部分连接到顶电极层的顶表面并且该凹入部分在凸起部分之间容纳该绝缘结构。
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公开(公告)号：CN111211220A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910863772.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁随机存取存储器(MRAM)装置。MRAM装置可包括：磁隧道结(MTJ)，其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层；以及导电层，其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110942799A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910890918.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了有多种纠错功能的存储器器件和存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括：存储器单元阵列，包括第一存储器区域和第二存储器区域；输入/输出电路，包括输入/输出线，其用于向第一存储器区域和第二存储器区域发送或从第一存储器区域和第二存储器区域接收数据位和奇偶校验位；和纠错电路，包括多个子纠错电路，该多个子纠错电路包括第一子纠错电路和第二子纠错电路，其中第一子纠错电路用于对通过输入/输出线接收的第一存储器区域的第一数据位执行第一纠错操作，第二子纠错电路用于对通过输入/输出线接收的第二存储器区域的第二数据位执行第二纠错操作。第一存储器区域具有比第二存储器区域更高的误码率。
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公开(公告)号：CN109285857A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810691309.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。
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公开(公告)号：CN109256377A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810769672.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/108 , H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。
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公开(公告)号：CN108133936A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711234913.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/22 , G11C11/406 , G11C11/408
CPC classification number: G11C14/0036 , G11C7/10 , G11C11/005 , G11C14/0045 , G11C14/0081 , G11C14/009 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10829 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1608 , H01L27/10805 , G11C11/40615 , G11C11/4087
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法，其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。
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公开(公告)号：CN106486153A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610768898.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C7/14 , G11C11/1673 , G11C13/004 , G11C29/028 , G11C29/50008 , G11C2013/0054 , G11C2029/4402 , G11C11/165
Abstract: 一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。
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