公开(公告)号：CN115223641A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210383518.2

申请日：2022-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植

IPC: G11C16/34 ,  G11C8/14 ,  G11C8/10 ,  G11C7/18 ,  G11C5/14

Abstract: 提供了存储器件以及操作存储器件的方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一存储单元区域和第二存储单元区域；电压发生器，所述电压发生器被配置为产生对应于写入电压的代码；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置为响应于所述代码而将数据存储在所述第一存储单元区域中。所述第二存储单元区域存储限定所述写入电压的值，并且所述写入电压是关于区分所述存储单元阵列中的存储单元的平行状态和反平行状态的参考电阻被确定的，并且还是关于施加到所述存储单元中的至少一个存储单元的磁隧道结元件的初始写入电压被确定的。

公开(公告)号：CN108735252A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810263505.5

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植 ,  表锡洙 ,  高宽协

IPC: G11C7/04 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C7/04 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 存储器设备包括至少一个参考单元和多个存储器单元。操作存储器设备的方法可以包括检测存储器设备的温度并根据温度检测的结果控制施加到至少一个参考单元的第一读取信号的电平。该方法还可以包括将通过将第一读取信号施加到至少一个参考单元而感测到的第一感测值与通过将第二读取信号施加到多个存储器单元当中的所选择的存储器单元而感测到的第二感测值进行比较。

公开(公告)号：CN1213258A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98119602.0

申请日：1998-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩德守 ,  金大植

IPC: H04Q7/30

CPC classification number: H04W48/10 ,  H04B2201/70701 ,  H04W36/06 ,  H04W48/08 ,  H04W88/08

Abstract: 一种产生用于硬切换的导频信号的设备和方法,该设备在码分多址蜂窝系统中产生相应于相邻基站的识别导频信号以进行频率间硬切换,所述导频信号发生器,包括中频(IF)放大器/分配器、服务射频(RF)通路单元、和RF通路单元。当加到传统数字MODEM的IF放大器/分配器时,仅将信号传输给RF通路单元时,RF通路单元传送由开销信道或业务信道转换的所有信号,该RF通路单元可便携,易于插入或抽取。

公开(公告)号：CN115206366A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210301650.4

申请日：2022-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植

IPC: G11C11/16

Abstract: 公开了一种包括磁存储元件的存储器件。该存储器件包括存储单元阵列、电压发生器和写入驱动器。存储单元阵列包括第一区域和第二区域。存储器件被配置为存储基于参考电阻的值确定的用于区分被编程的存储单元的平行状态和反平行状态的第一读取电流的值。感测电路被配置为基于第一读取电流的值生成第一读取电流，并基于第一读取电流对第一区域执行读取操作。

公开(公告)号：CN107409244B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201680013958.1

申请日：2016-04-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 徐制焕 ,  金大植 ,  徐奉源 ,  李仲植

IPC: H04N21/472 ,  H04N21/475 ,  H04N21/45

Abstract: 提供了一种显示装置，包括：输出，包括输出电路并被配置为输出内容；通信器，包括通信电路并被配置为从可穿戴设备接收包括感测信息的信号；以及控制器，包括处理电路并被配置为基于所接收的信号强度和感测信息来确定可穿戴设备是否在允许观看者观看内容的可用区域内。

公开(公告)号：CN106486153A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610768898.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  表锡洙 ,  高宽协 ,  李龙圭 ,  金大植

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/004 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50008 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2029/4402 ,  G11C11/165

Abstract: 一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。

公开(公告)号：CN1649027A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006412.7

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  车国麟 ,  金大植

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。还提供了一种用于制造该磁存储器件的等离子体反应室。

公开(公告)号：CN1384221A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02121850.1

申请日：2002-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  金大植 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542

Abstract: 本发明提供一种包括多种组分的薄膜及形成该薄膜的方法。基底装入反应室中。单位材料层形成在基底上。该单位材料层为镶嵌的原子层(MAL),由两种含有构成薄膜组分的前导粒子组成。清洗反应室的内部。通过化学方法改变MAL。

公开(公告)号：CN118053471A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311476615.7

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚旼 ,  金永杰 ,  金大植

IPC: G11C13/00

Abstract: 可以提供一种存储装置，其包括：存储单元，其包括可变电阻元件；控制器，其配置成基于所述存储装置是执行读取操作还是验证读取操作来产生控制信号；参考单元，其包括参考电阻电路，所述参考电阻电路配置成根据所述控制信号具有不同的电阻值；以及读出放大器，其配置成感测从所述存储单元施加的读取电压值和从所述参考电阻电路施加的参考电压值之间的差值。

公开(公告)号：CN106486153B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201610768898.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  表锡洙 ,  高宽协 ,  李龙圭 ,  金大植

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。