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公开(公告)号:CN108133936B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN201711234913.X
申请日:2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H10B61/00 , G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法,其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。
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公开(公告)号:CN108133936A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201711234913.X
申请日:2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/22 , G11C11/406 , G11C11/408
CPC classification number: G11C14/0036 , G11C7/10 , G11C11/005 , G11C14/0045 , G11C14/0081 , G11C14/009 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10829 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1608 , H01L27/10805 , G11C11/40615 , G11C11/4087
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法,其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。
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