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公开(公告)号：CN107093612A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710085743.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1683 , H01L27/224 , H01L21/82 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面；在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线，每条第二导电线在第一方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
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公开(公告)号：CN108122923B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201710946253.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 寺井真之
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种存储器件的存储单元柱包括具有基部(腿)和鳍部(出头部分)的加热电极、以及在第一导电线与加热电极之间的选择器件。选择器件的侧表面和鳍部的侧表面沿第一直线延伸。一种制造存储器件的方法包括形成穿过包括初始选择器件层和初始电极层的堆叠结构的多个第一绝缘壁、形成多个自对准的初始加热电极层、形成每个在所述多个第一绝缘壁中的两个之间的多个第二绝缘壁、以及在沿着交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的多个孔中形成多个第三绝缘壁。
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公开(公告)号：CN107104123A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710092603.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L27/2427 , G11C11/1659 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/17 , G11C2213/71 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/11582 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L43/08 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L27/2472
Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件可以包括：衬底；第一导线，其在衬底上并且在第一方向上延伸；第二导线，其在第一导线上方并且在交叉第一方向的第二方向上延伸；第三导线，其在第二导线上方并且在第一方向上延伸；第一存储单元，其在第一导线和第二导线的交点处并且包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及第二存储单元，其在第二导线和第三导线的交点处并且包括第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在垂直于第一和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二选择元件层在第三方向上的第二高度。
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公开(公告)号：CN119495656A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410525604.1
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置，包括：上导电线，其在衬底上方沿第一水平方向延伸；沟道层，其在垂直于第一水平方向的第二水平方向上面对上导电线；栅极电介质膜，其位于沟道层和上导电线之间；导电接触图案，其包括下表面和侧壁，该下表面与沟道层的上表面接触，该侧壁包括在第二水平方向上面对上导电线的第一侧壁；以及绝缘间隔件，其包括在第二水平方向上位于上导电线和导电接触图案之间的第一部分。
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公开(公告)号：CN110890462A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910603772.7
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成晶体管；形成覆盖晶体管的下层间绝缘层；在下层间绝缘层上形成氢供应层；在氢供应层上形成氢阻挡层；对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火；在对晶体管、下层间绝缘层和氢供应层进行退火之后，在氢阻挡层上形成存储器单元；以及形成围绕存储器单元的上层间绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122923A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710946253.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 寺井真之
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573
CPC classification number: H01L27/2409 , C23C16/34 , H01L27/2427 , H01L27/2472 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种存储器件的存储单元柱包括具有基部(腿)和鳍部(出头部分)的加热电极、以及在第一导电线与加热电极之间的选择器件。选择器件的侧表面和鳍部的侧表面沿第一直线延伸。一种制造存储器件的方法包括形成穿过包括初始选择器件层和初始电极层的堆叠结构的多个第一绝缘壁、形成多个自对准的初始加热电极层、形成每个在所述多个第一绝缘壁中的两个之间的多个第二绝缘壁、以及在沿着交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的多个孔中形成多个第三绝缘壁。
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公开(公告)号：CN119277782A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410898961.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了集成电路存储器装置和半导体装置。集成电路存储器装置包括其上具有在第一水平方向上延伸的位线的衬底和在位线上延伸的沟道结构。沟道结构包括位线上的水平部分和从水平部分的一端向上延伸的竖直沟道部分。提供了字线，字线与竖直沟道部分相对地延伸，并与位线交叉以在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。提供了着陆焊盘结构，并且着陆焊盘结构电连接到竖直沟道部分。着陆焊盘结构包括与竖直沟道部分的上表面接触的第一接触部分和从第一接触部分的下表面向下突出的第二接触部分。
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公开(公告)号：CN111009607B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910887355.X
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底，所述衬底包括外围区域和核心区域，所述核心区域包括与所述外围区域间隔开的远区域和位于所述远区域与所述外围区域之间的近区域；第一导线，所述第一导线设置在所述衬底上并在第一方向上延伸；第二导线，所述第二导线设置在所述第一导线上方并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和存储单元，所述存储单元在所述核心区域上设置在所述第一导线和所述第二导线之间。所述存储单元包括设置在所述近区域上的近存储单元和设置在所述远区域上的远存储单元，其中，所述近存储单元的电阻或阈值电压不同于所述远存储单元的电阻或阈值电压。
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公开(公告)号：CN107093612B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710085743.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面；在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线，每条第二导电线在第一方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
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公开(公告)号：CN107017276B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201610890686.5
申请日：2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 寺井真之
Abstract: 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法、以及半导体装置，该半导体装置包括：第一存储器单元、位线和第二存储器单元。第一存储器单元具有第一堆叠结构，该第一堆叠结构包括第一加热器电极与第一双向阈值开关装置之间的第一存储器层。位线位于第一存储器单元上。第二存储器单元位于位线上，并且具有第二堆叠结构，该第二堆叠结构包括第二双向阈值开关装置与第二加热器电极之间的第二存储器层。第一堆叠结构和第二堆叠结构相对于位线对称。
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