公开(公告)号：CN112071876A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010391513.5

申请日：2020-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权倍成 ,  金容才 ,  南坰兑 ,  郑求训

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁存储器件包括：在基板上的下接触插塞；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间并与磁隧道结图案的底表面接触；以及顶电极，在磁隧道结图案的顶表面上。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。

公开(公告)号：CN118055683A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311471276.3

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑炯钟 ,  高昇必 ,  裵丙才 ,  严鏋镇 ,  李佳元 ,  郑求训

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。

公开(公告)号：CN113206188A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011284446.3

申请日：2020-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容才 ,  郑求训 ,  高宽协 ,  权倍成 ,  南坰兑

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁性存储器装置，包括：下接触插塞，其位于衬底上；以及数据存储结构，其位于下接触插塞上。数据存储结构包括顺序地堆叠在下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极。下接触插塞和数据存储结构在与衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度。下接触插塞的第一厚度为数据存储结构的第二厚度的大约2.0倍至3.6倍。