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公开(公告)号：CN108847263A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810354652.3
申请日：2014-10-23
Applicant: 钰创科技股份有限公司
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C29/023 , G06F11/106 , G06F11/1064 , G11C5/04 , G11C11/005 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种具有嵌入式内存的系统级封装内存模块。所述系统级封装内存模块包含一非内存电路、一基板和一内存电路。所述非内存电路具有一第一部分和一第二部分。所述基板具有一窗口以及所述基板电连接所述非内存电路的第二部分。所述内存电路设置于所述基板的窗口且电连接所述非内存电路的第一部分，以及所述内存电路和所述基板之间没有直接的金属连接。因为所述系统级封装内存模块可被客制化以因应不同的内存电路和非内存电路，所以所述系统级封装内存模块具有优化的效能、效率以及成本的一组合。
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公开(公告)号：CN108807416A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810413858.9
申请日：2018-05-03
Applicant: 格芯公司
IPC: H01L27/11568 , H01L27/1159
CPC classification number: G11C11/225 , G11C11/005 , G11C11/223 , G11C11/2275 , G11C11/5657 , G11C16/0466 , G11C16/06 , G11C16/10 , H01L29/40111 , H01L29/40117 , H01L29/78391 , H01L29/7841 , H01L29/792 , H01L27/11568 , H01L27/1159
Abstract: 本披露涉及包括基于埋置铁电材料的储存机制的非易失性晶体管元件，其提供储存元件，例如储存晶体管，其中，基于在SOI晶体管架构的埋置绝缘层中所形成的铁电材料提供至少一个储存机制。在另外的示例实施例中，在该栅极电极结构中实施一个另外的储存机制，以提供增加的总体信息密度。在一些示例实施例中，该栅极电极结构中的该储存机制以铁电材料形式提供。
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公开(公告)号：CN107667326A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680030137.9
申请日：2016-05-16
Applicant: 英特尔公司
Inventor： T·当 , J·S·伯恩斯 , R·J·温德利希 , J·格因巴托尔普莱姆库玛
CPC classification number: G11C5/147 , G06F1/26 , G06F1/3225 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , G11C5/14 , G11C11/005 , G11C11/2297 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/172
Abstract: 诸方法、装置和系统可以提供传感器以监视非易失性随机存取存储器(RAM)和易失性RAM的功耗。连接到该传感器的输出的开关控制去往该非易失性RAM的功率，以及调压器调节非易失性RAM和易失性RAM的电压。一个或多个存储器插槽接纳该非易失性RAM和该易失性RAM，以及处理器从该传感器接收信息，以及基于接收到的信息控制调压器。该调压器包括多个寄存器以存储该非易失性RAM和该易失性RAM的功耗信息。
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公开(公告)号：CN105009095B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480013145.3
申请日：2014-03-13
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: G06F12/0846 , G06F12/0893 , G11C11/00 , G11C11/16 , G11C13/00 , G11C14/00
CPC classification number: G06F12/0802 , G06F12/08 , G06F12/0846 , G06F12/0851 , G06F12/0893 , G06F2212/1028 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G06F2212/225 , G11C11/005 , G11C11/1659 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C14/0081 , G11C2207/2245 , Y02D10/13
Abstract: 混合高速缓存包括静态随机存取存储器(SRAM)部分和电阻性随机存取存储器部分。混合高速缓存的高速缓存线被配置成包括SRAM宏和电阻性随机存取存储器宏两者。混合高速缓存被配置成使得在每个高速缓存访问循环中SRAM宏在电阻性随机存储器宏之前被访问。在SRAM宏被访问时，较慢的电阻性随机存取存储器达到数据访问就绪状态。
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公开(公告)号：CN104272390B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201380013116.2
申请日：2013-03-01
Applicant: 美敦力公司
CPC classification number: G11C11/005 , G06F3/0601 , G06F3/0646 , G06F3/0668 , G06F3/0679 , G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F12/0623 , G06F12/0868 , G06F13/387 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G11C16/10
Abstract: 用于存储数据的存储器阵列、系统、和方法。该存储器阵列具有闪存阵列、被耦合至所述闪存且被配置用以接收数据的随机存取存储器阵列、存储器管理模块、和数据总线。该存储器管理模块被耦合至该随机存取存储器阵列且被耦合至该闪存阵列，该存储器管理模块被配置为将存储在该随机存取存储器阵列中的至少部分数据传送至所述闪存阵列。该数据总线被耦合至所述闪存阵列，且被配置为从该闪存阵列输出初始存储在该随机存取存储器阵列中的至少部分数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106527964A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610584468.9
申请日：2016-07-22
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0638 , G06F3/0683 , G06F12/0215 , G06F12/0895 , G06F2212/1016 , G06F2212/1041 , G06F2212/221 , G11C7/1075 , G11C7/22 , G11C8/12 , G11C11/005 , G11C11/4076 , G11C2207/2245 , G06F3/0659 , G06F3/0622 , G06F3/0679
Abstract: 本发明提供一种存储装置及用于访问存储装置的控制方法。存储装置包含多个存储库，每个存储库具有库指标并包含多个库存储单元，用于储存与对应于库指标的逻辑地址相关联的数据；至少一个缓冲库，每个缓冲库包含多个缓冲存储单元；以及控制器，在第一时钟周期接收至少一读指令以及至少一写指令，其中至少一读指令及至少一写指令请求访问多个存储库中的特定存储库，若至少一读指令及至少一写指令的访问请求超出特定存储库的带宽限制，控制器利用至少一缓冲库来完成至少一读指令及至少一写指令。本发明的存储装置及用于访问存储装置的控制方法可以增加存储装置的带宽。
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公开(公告)号：CN106527652A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610739044.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F1/26 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C11/005 , G11C11/40615 , G11C14/0009 , G11C16/30 , Y02D10/126 , Y02D10/14 , Y02D10/172
Abstract: 本公开提供了用于控制功耗的系统和方法。一种实施例包括系统，该系统包括：处理器；多个存储器；以及控制电路，结合到处理器和存储器并且被配置为：接收功率限制；测量处理器和存储器的功耗；以及迭代地改变处理器和存储器的多个操作参数，以使与系统相关联的目标函数最优化至功耗小于或等于功率限制的操作状态。
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公开(公告)号：CN105261387A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510684146.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 拉明·古德西
CPC classification number: G11C16/0408 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 本申请涉及使用新兴非易失性存储器元件及快闪存储器。本发明提供存储器装置及操作存储器装置的方法，例如涉及用新兴非易失性存储器(NV)元件取代典型静态及/或动态组件的存储器架构的那些存储器装置及方法。所述新兴NV存储器元件可取代常规锁存器，可充当快闪存储器阵列与外部装置之间的高速度接口，且还可用作快闪存储器阵列的高性能高速缓冲存储器。
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公开(公告)号：CN102844815B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080066463.8
申请日：2010-10-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G11C16/06 , G06F12/1433 , G06F21/79 , G11C11/005 , G11C16/22
Abstract: 本发明涉及一种用于同时提供至少一个安全存储区域（163）和至少一个非安全存储区域（133）的存储模块（230），其中所述存储模块（230）包含有用于每个存储区域（133，163）的自身的写/读电子单元（132，162）以及至少一个共同的模拟电路部分（234），比如供电电路，以用于多个写/读电子单元（132，162）和/或多个存储区域（133，163）的供电。本发明还涉及具有这种存储模块（230）的微控制器（200）。尤其在闪存存储器中从而比如可以节省充电泵和/或写/读放大器工作台。
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公开(公告)号：CN102804276B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080026842.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 拉明·古德西
CPC classification number: G11C16/0408 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 本发明提供存储器装置及操作存储器装置的方法，例如涉及用新兴非易失性存储器(NV)元件取代典型静态及/或动态组件的存储器架构的那些存储器装置及方法。所述新兴NV存储器元件可取代常规锁存器，可充当快闪存储器阵列与外部装置之间的高速度接口，且还可用作快闪存储器阵列的高性能高速缓冲存储器。
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