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公开(公告)号：CN119031721A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410054394.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：数据存储图案，其设置在衬底上，并且在与衬底的顶表面平行的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，其设置在数据存储图案上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开，第一单元导电线中的每一条连接到数据存储图案中的在第一方向上彼此间隔开的相应的数据存储图案；以及单元过孔接触件，其在第一单元导电线之间在第一方向上彼此间隔开。第一单元导电线之间的单元过孔接触件中的每一个可以在第二方向上延伸，并且可以连接到数据存储图案中的在第二方向上彼此间隔开的虚设数据存储图案。
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公开(公告)号：CN117794251A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311254558.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括在基板上的单元下导电线和外围下导电线、在单元下导电线上的下电极接触、在外围下导电线上的外围导电接触、在下电极接触上彼此水平地间隔开的可变电阻图案。下电极接触分别连接到可变电阻图案。外围导电线在外围导电接触上与可变电阻图案水平地间隔开。外围导电接触连接到外围导电线。单元下导电线和外围下导电线分别连接到下电极接触和外围导电接触。单元下导电线和外围下导电线在相同的高度处。彼此直接相邻的单元下导电线的节距比彼此直接相邻的外围下导电线的节距更大。
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公开(公告)号：CN111081631A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910806621.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的导电结构、导电结构上的接触插塞以及接触插塞上的磁隧道结结构。接触插塞的下表面的面积可以大于其上表面的面积，并且接触插塞可以包括至少部分地覆盖导电结构的上表面的覆盖图案、覆盖图案上的导电图案以及导电图案上的非晶含金属图案。
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公开(公告)号：CN107452870A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710303448.4
申请日：2017-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , H01L27/222 , H01L43/12 , H01L43/08
Abstract: 一种数据存储器件以及用于制造该数据存储器件的方法提供一种具有优异可靠性且易于制造的数据存储器件。该数据存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底；在外围电路区上的第一导电线；在衬底与第一导电线之间的外围接触插塞，外围接触插塞与第一导电线接触；在单元区上的第二导电线；在衬底与第二导电线之间的多个数据存储结构；以及在衬底与数据存储结构的每个之间以及在衬底与外围接触插塞之间的布线结构。第一导电线包括自衬底具有比第二导电线的底表面的位置更低的位置的底表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117062448A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310509405.7
申请日：2023-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 提供了磁性存储器件和包括其的电子设备。磁性存储器件包括：顺序堆叠在第一衬底区域上的第一上绝缘层和第二上绝缘层以及第一模制层；在第一上绝缘层中沿第一方向间隔开的第一初级布线结构和第一次级布线结构；在第二上绝缘层中位于第一初级布线结构上的第二布线结构和位于第一次级布线结构上的参考布线结构；位于第二布线结构上的第一结构；位于参考布线结构上的第二结构；在第一模制层中位于第二布线结构与第一结构之间并且不位于参考布线结构与第二结构之间的下电极接触；位于第一结构上的位线结构；以及位于第二结构上的参考位线结构。第一结构和第二结构均包括下电极、MTJ结构、中间电极和上电极。
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公开(公告)号：CN109003977B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810466873.X
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B69/00
Abstract: 集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。
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公开(公告)号：CN114864627A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210025567.9
申请日：2022-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 磁存储设备包括在衬底的第一区域上具有第一模制绝缘膜的衬底和在该衬底上的第一结构。第一结构包括下电极、下电极上的磁隧道结(MTJ)结构、以及MTJ结构上的上电极。设置封盖膜，该封盖膜在第一模制绝缘膜和第一结构的侧壁上延伸。在第一结构和封盖膜上设置第一蚀刻停止层。设置第二模制绝缘膜，该第二模制绝缘膜至少部分地填充封盖膜和第一蚀刻停止层之间的空间。设置第一金属结构，该第一金属结构延伸穿过第一蚀刻停止层的一部分和第二模制绝缘膜的一部分，并且电耦合到MTJ结构。
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公开(公告)号：CN110718568A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910618600.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22
Abstract: 一种磁存储器件包括：包括单元区和外围电路区的基板；第一层间绝缘层，覆盖基板的单元区和外围电路区；在第一层间绝缘层中的互连线；外围导线和外围导电接触，在外围电路区上的第一层间绝缘层上，外围导电接触在外围导线与互连线中的相应一条互连线之间；底电极接触，在单元区上的第一层间绝缘层上并且连接到互连线中的相应一条互连线；以及在底电极接触上的数据存储图案，其中外围导线处于底电极接触的顶表面与底电极接触的底表面之间的高度处。
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公开(公告)号：CN119968098A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410808928.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件，包括：衬底；第一介电图案，在衬底上；介电柱，包括穿透第一介电图案的穿透部分和在第一介电图案的顶表面上方突出的突出部分；第一磁性图案，在第一介电图案与介电柱之间，并且包括围绕穿透部分的侧表面的第一部分和围绕突出部分的侧表面的第二部分；第二磁性图案，在第一介电图案上，并且围绕第二部分的侧表面；以及隧道势垒图案，在第一介电图案上，并且在第二部分与第二磁性图案之间。第一磁性图案沿与衬底的顶表面垂直的第三方向延伸。
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