公开(公告)号：CN103779318B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201310512143.6

申请日：2013-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奉秀 ,  朴正焕 ,  崔成菅 ,  李圭现 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236

Abstract: 本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。

公开(公告)号：CN108538804B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810251036.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN103779318A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310512143.6

申请日：2013-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奉秀 ,  朴正焕 ,  崔成菅 ,  李圭现 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4236

Abstract: 本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。

公开(公告)号：CN103794605B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310188874.X

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN104037125A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410076999.8

申请日：2014-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大益 ,  金冈昱 ,  金那罗 ,  朴济民 ,  李圭现 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

公开(公告)号：CN103794605A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310188874.X

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN113345898A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110188281.8

申请日：2021-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  尹宰铉 ,  金圭镇 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  李圭现 ,  韩相逸 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 半导体器件包括：元件隔离区；第一有源区，由元件隔离区界定并且沿第一方向延伸，第一有源区包括设置在第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在位于第一高度上方的第二高度处的第三部分；以及栅电极，设置在元件隔离区和第一有源区中的每一个内并且沿不同于第一方向的第二方向延伸。第二部分沿第一方向与第一部分间隔开，并且第三部分与第一部分和第二部分中的每一个接触。第一部分沿第二方向的第一宽度小于第三部分沿第二方向的第二宽度。

公开(公告)号：CN108538804A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810251036.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔宰福 ,  李圭现 ,  张美贞 ,  崔荣振 ,  许宙永

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。

公开(公告)号：CN1107340C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN99109049.7

申请日：1999-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  李圭现 ,  李宰求 ,  郑相燮

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，其中SAC开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后，淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行SAC开口，并同时形成栅间隔层。

公开(公告)号：CN1239815A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN99109049.7

申请日：1999-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵昶贤 ,  李圭现 ,  李宰求 ,  郑相燮

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，其中SAC开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后，淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行SAC开口，并同时形成栅间隔层。