公开(公告)号：CN115223920A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210410580.6

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金台勋 ,  金圭镇 ,  朴哲权 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L21/74 ,  H01L27/108

Abstract: 一种集成电路装置包括具有有源区域的衬底和衬底中的字线沟槽。字线沟槽包括具有第一宽度的下部、以及在下部与衬底的表面之间延伸并且具有大于第一宽度的第二宽度的上部。提供了在字线沟槽的底部中延伸并且与字线沟槽的底部相邻的字线。提供了在字线与字线沟槽的下部的侧壁之间延伸的栅极绝缘层。电绝缘栅极封盖层设置在字线沟槽的上部中。提供了在栅极封盖层与字线沟槽的上部的侧壁之间延伸的绝缘衬层。栅极绝缘层在绝缘衬层与栅极封盖层的在字线沟槽的上部内延伸的部分之间延伸。

公开(公告)号：CN114639677A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111307203.1

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金圭镇 ,  朴哲权 ,  韩成熙

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和围绕存储器单元区的伪单元区，存储器单元区包括多个存储器单元；存储器单元区中的多个有源区，多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，长轴方向是相对于第一水平方向和与第一水平方向正交的第二水平方向的对角线方向，多个有源区中的每一个在与长轴方向正交的短轴方向上具有第一宽度；以及伪单元区中的多个伪有源区，多个伪有源区中的每一个在长轴方向上延伸，多个伪有源区中的每一个在短轴方向上具有比第一宽度大的第二宽度。

公开(公告)号：CN112186038A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010263663.8

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭镇 ,  金熙中 ,  金俊秀 ,  李相昊 ,  赵在奂 ,  黄有商

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。

公开(公告)号：CN112186038B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202010263663.8

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭镇 ,  金熙中 ,  金俊秀 ,  李相昊 ,  赵在奂 ,  黄有商

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。

公开(公告)号：CN117440685A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310890866.3

申请日：2023-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金圭镇 ,  金奉秀 ,  金熙中 ,  朴哲权 ,  尹炅炫 ,  蔡熙载

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路半导体器件，该集成电路半导体器件包括：场绝缘层，掩埋在衬底内彼此分开设置的场沟槽中；由场绝缘层限定的有源区；以及有源鳍，设置在有源区上并且从场绝缘层的表面突出。场绝缘层包括第一子场绝缘层和第二子场绝缘层，并且第一子场绝缘层的表面设置在比第二子场绝缘层的表面的高度低的高度。

公开(公告)号：CN117222225A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310600011.2

申请日：2023-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金圭镇 ,  金奉秀 ,  金熙中 ,  文平 ,  朴哲权 ,  尹炅炫 ,  蔡熙载

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：栅极沟槽，形成在衬底内部，栅极沟槽包括底部和侧壁部分；栅电极结构，与栅极沟槽的底部和侧壁部分间隔设置，栅电极结构包括栅电极和栅极封盖层，栅电极包括第一子栅电极和第二子栅电极，第一子栅电极形成在栅极沟槽的下部中，第二子栅电极形成在第一子栅电极上，栅极封盖层形成在第二子栅电极上；以及栅极绝缘层，形成在栅极沟槽和栅电极结构之间，栅极绝缘层包括基底绝缘层和增强绝缘层，基底绝缘层形成在栅极沟槽的底部和侧壁部分与栅电极结构之间，增强绝缘层形成在第二子栅电极的侧壁部分上。

公开(公告)号：CN113345898A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110188281.8

申请日：2021-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  尹宰铉 ,  金圭镇 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  李圭现 ,  韩相逸 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 半导体器件包括：元件隔离区；第一有源区，由元件隔离区界定并且沿第一方向延伸，第一有源区包括设置在第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在位于第一高度上方的第二高度处的第三部分；以及栅电极，设置在元件隔离区和第一有源区中的每一个内并且沿不同于第一方向的第二方向延伸。第二部分沿第一方向与第一部分间隔开，并且第三部分与第一部分和第二部分中的每一个接触。第一部分沿第二方向的第一宽度小于第三部分沿第二方向的第二宽度。

公开(公告)号：CN110021549A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811451709.8

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭镇 ,  崔民洙 ,  韩成熙 ,  金奉秀 ,  黄有商

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：准备包括具有不同有源区域密度的单元区域和外围区域的衬底；形成单元沟槽，其用于在单元区域中限制单元有源区域，使得单元有源区域被形成为在第一方向上间隔开第一宽度并在第二方向上间隔开第二宽度；形成外围沟槽，其用于在外围区域中限制外围有源区域；以及在单元沟槽中形成第一绝缘层，其在第一方向和第二方向上连续延伸并且接触单元有源区域的侧壁，并且具有等于或大于第一宽度的一半且小于第二宽度的一半的厚度。