公开(公告)号：CN114068550A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110638451.8

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  安濬爀 ,  尹宰铉 ,  李明东 ,  李锡奐 ,  韩成熙 ,  许仁景

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并且设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并且电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。

公开(公告)号：CN113345898A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110188281.8

申请日：2021-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  尹宰铉 ,  金圭镇 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  李圭现 ,  韩相逸 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 半导体器件包括：元件隔离区；第一有源区，由元件隔离区界定并且沿第一方向延伸，第一有源区包括设置在第一高度处的第一部分和第二部分以及设置在位于第一高度上方的第二高度处的第三部分；以及栅电极，设置在元件隔离区和第一有源区中的每一个内并且沿不同于第一方向的第二方向延伸。第二部分沿第一方向与第一部分间隔开，并且第三部分与第一部分和第二部分中的每一个接触。第一部分沿第二方向的第一宽度小于第三部分沿第二方向的第二宽度。

公开(公告)号：CN215731696U

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202121279416.3

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  安濬爀 ,  尹宰铉 ,  李明东 ,  李锡奂 ,  韩成熙 ,  许仁景

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。