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公开(公告)号:CN1157763C
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN98125611.2
申请日:1998-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/31144 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10873 , H01L27/10888
Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,包括以下步骤:在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层;在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层;在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形,以暴露所说有源区和部分无源区;腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层,形成自对准接触开口;去掉掩模图形;在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层;平面化腐蚀导电层和层间介质层,从而至少形成两个接触焊盘。
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公开(公告)号:CN1107340C
公开(公告)日:2003-04-30
申请号:CN99109049.7
申请日:1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/318 , H01L21/3205 , H01L21/76 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76834
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,其中SAC开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后,淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行SAC开口,并同时形成栅间隔层。
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公开(公告)号:CN1239815A
公开(公告)日:1999-12-29
申请号:CN99109049.7
申请日:1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/318 , H01L21/3205 , H01L21/76 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76834
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,其中SAC开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后,淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行SAC开口,并同时形成栅间隔层。
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公开(公告)号:CN1222753A
公开(公告)日:1999-07-14
申请号:CN98125611.2
申请日:1998-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/31144 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10873 , H01L27/10888
Abstract: 公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法,包括以下步骤:在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层;在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层;在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形,以暴露所说有源区和部分无源区;腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层,形成自对准接触开口;去掉掩模图形;在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层;平面化腐蚀导电层和层间介质层,从而至少形成两个接触焊盘。
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