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公开(公告)号：CN103779318A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310512143.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L29/4236
Abstract: 本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。
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公开(公告)号：CN102800693B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210165160.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L23/488 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: G11C11/4096 , G11C11/404 , G11C11/4085 , H01L21/823437 , H01L27/10823 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10891 , H01L27/10894 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/66484 , H01L29/66613 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7831
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在该半导体器件中由两个子栅独立地控制一个沟道区以抑制泄漏电流的产生。
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公开(公告)号：CN103779318B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310512143.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L29/4236
Abstract: 本公开提供包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法。每个半导体器件可以包括基板，该基板包括有源区，有源区包括第一和第二区域。每个半导体器件可以包括在有源区的第一和第二区域之间的器件隔离层。每个半导体器件可以包括分别由器件隔离层的凹陷部分和有源区的第一区域的凹陷部分限定的接触孔。而且，有源区的第一区域的最上表面可以限定接触孔的最下部分。
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公开(公告)号：CN102800693A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210165160.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L23/488 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: G11C11/4096 , G11C11/404 , G11C11/4085 , H01L21/823437 , H01L27/10823 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10891 , H01L27/10894 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/66484 , H01L29/66613 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7831
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在该半导体器件中由两个子栅独立地控制一个沟道区以抑制泄漏电流的产生。
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