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公开(公告)号：CN101946378B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
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公开(公告)号：CN102934300A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC classification number: H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN101986487A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010243717.0
申请日：2010-07-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 井久田光弘
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0286 , H01S5/18313 , H01S5/18316 , H01S5/18333 , H01S5/18347 , Y10S257/918
Abstract: 本发明涉及一种表面发射激光器、其制造方法以及图像形成装置。表面发射激光器包括层叠于基板上的下部多层反射镜、活性层和上部多层反射镜。通过使用第一沟槽结构在活性层上面或下面形成具有第一导电区域和第一绝缘区域的第一电流限制层。通过使用第二沟槽结构在第一电流限制层上面或下面形成具有第二导电区域和第二绝缘区域的第二电流限制层。第一和第二沟槽结构从上部多层反射镜的顶面向基板延伸，使得第二沟槽结构包围第一沟槽结构。当沿基板的面内方向观察表面发射激光器时，第一导电区域和第一绝缘区域之间的边界被设置在第二导电区域内侧。
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公开(公告)号：CN1254893C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02810240.1
申请日：2002-06-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0203 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
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公开(公告)号：CN1509508A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02810240.1
申请日：2002-06-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0203 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934300B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180029449.5
申请日：2011-04-06
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC classification number: H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。
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公开(公告)号：CN103918142A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280053838.6
申请日：2012-09-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/34333 , G02B1/11 , H01L33/58 , H01S5/0206 , H01S5/0264 , H01S5/0281 , H01S5/0286 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/16 , H01S2301/18
Abstract: 一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。
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公开(公告)号：CN101946378A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
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公开(公告)号：CN1233077C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN02810758.6
申请日：2002-05-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN104201559B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201410409462.9
申请日：2011-04-06
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC classification number: H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上，以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。
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