公开(公告)号：CN107565378A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710467187.X

申请日：2017-06-19

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 近藤崇

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/062 ,  G03G15/04 ,  G03G15/32

CPC classification number: H01S5/06817 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0428 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/068 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/2232 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/42 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明公开了一种发光组件。该发光组件包括多个激光元件及设定部。多个激光元件被设定为逻辑值“m”的导通状态、视为具有逻辑值“0”的导通状态、以及截止状态，其中，m为1以上的整数。设定部将所述激光元件设定为可转换到导通状态的状态，在将成为可转换到导通状态的状态的该激光元件设为具有逻辑值“m”的导通状态的定时之前，将所述激光元件设定为视为具有逻辑值“0”的导通状态。

公开(公告)号：CN104871378B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380066530.X

申请日：2013-12-17

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： R.恩茨曼 ,  M.霍恩 ,  M.格劳尔 ,  T.法伊特 ,  J.达赫斯 ,  S.利斯特尔 ,  M.阿茨贝格尔

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32333

Abstract: 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。

公开(公告)号：CN106340808A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610941941.4

申请日：2016-10-31

Applicant: 南通明芯微电子有限公司

Inventor： 周明

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/3004 ,  H01S5/3009 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供了一种激光二极管，包括设在顶部的P型半导体和设在底部的N型半导体，所述的P型半导体和N型半导体之间设有光活性半导体，所述的P型半导体、N型半导体和光活性半导体的端面均为抛光面，所述的光活性半导体的材料选自TiO2、ZnO、α-Fe2O3、ZnS、CdS、WO3、SnO2或SrTiO3。本发明的激光二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）激光二极管的稳定性和互换性好。

公开(公告)号：CN106300013A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610880104.5

申请日：2016-10-09

Applicant: 武汉华工正源光子技术有限公司

Inventor： 李鸿建

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01S5/323 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明涉及一种外延生长方法及掩埋异质结构的外延层，包括以下步骤：S1、生长n/p/n/p InP或InGaAsP层的部分或全部；S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型；S3、在形状模型内生长外延结构中所有含Al的材料。本发明先形成n/p/n/p结构的部分或全部，再刻蚀出需要生长的外延层形状，然后在其中生长外延层。利用本发明的方法，可有效结合AlGaInAs/InP材料和BH技术的优点，生长出一种高效激光器外延结构，达到避免Al氧化，降低俄歇复合，带间吸收，改善器件高温特性的作用，同时减小激光器阈值电流密度，提高有源层材料的特征温度以及有源区量子阱的外量子效率、内量子效率和转换效率。

公开(公告)号：CN106158592A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610754971.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王文樑 ,  朱运农 ,  杨为家

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时采用了非晶层技术，所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。

公开(公告)号：CN105703216A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610256623.4

申请日：2016-04-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐天鸿 ,  曹俊诚

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器及其制作方法，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区；位于所述有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于所述n型重掺杂上接触层表面且设有间隔距离L的第一、第二上电极金属层，其中，所述第二上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本发明提供的一种太赫兹量子级联激光器吸收波导及其制作方法，解决了现有技术中THz吸收器都是一个个分立的器件，且使用的材料与THz QCL差异较大，故不可能用在基于THz QCL材料的片上集成系统中的问题。

公开(公告)号：CN105680319A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610191712.5

申请日：2016-03-30

Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

Inventor： 汪丽杰 ,  佟存柱 ,  田思聪 ,  舒世立 ,  吴昊 ,  戎佳敏 ,  王立军

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0609 ,  H01S5/323

Abstract: 基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、P型盖层和P面电极；N型波导、有源区和P型波导组成激光器的波导层，波导层的折射率大于N型包层和P型包层的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔，所述多个微孔设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔的数量从中心到边缘递增；微孔深度从P面电极的表面至P型包层，且微孔的底部与P型包层下表面距离小于激光器波导层的倏逝波长度。

公开(公告)号：CN105576504A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610090495.0

申请日：2016-02-18

Applicant: 福建中科光芯光电科技有限公司

Inventor： 苏辉 ,  陈阳华 ,  林中晞 ,  林琦

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种基于半导体界面异质节结构的激光器，包括依次设置的下电极、衬底、下接触、有源层、上接触层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为半导体异质节结构，所述半导体异质节结构，所述异质节结构的一侧为与衬底同质的材料，异质节的另一侧为与衬底晶格常数相同而禁带宽度不同的材料。该激光器输出功率高，制备工艺稳定,在激光测距、激光制导、相干通信、大气研究、医疗器械、光学图像处理、激光打印机等高科技领域有着独具特色的应用前景。

公开(公告)号：CN104364983B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201380031459.1

申请日：2013-08-28

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  持田笃范 ,  冈口贵大

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0282 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜，具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备：半导体层叠体，其由III族氮化物半导体构成，并具有发光端面；和保护膜，其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成，保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成，从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置，端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层，氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造，金属氧化物膜通过激光而结晶化。

公开(公告)号：CN101133530B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580039011.X

申请日：2005-11-15

Applicant: 通用纳米光学有限公司

Inventor： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4006

Abstract: 异质结构用于形成半导体注入式发射源、注入式激光器、半导体放大元件、半导体光放大器，其用在光纤通信和数据传输系统、光超高速计算和开关系统、医疗设备的开发、激光工业设备、倍频激光器中，以及用于充能固态和光纤激光器和放大器。提出了异质结构，注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器，其本质特征在于异质结构的有源层和漏入区的改进、以及在形成从有源层泄露的可控发射的瞬态区域中提供注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器的高效功能的异质结构层的位置、组分、折射率和厚度的组合选择。