公开(公告)号：CN107257085A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710532326.2

申请日：2008-09-16

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： H.S.艾尔-古鲁里 ,  R.G.W.布朗 ,  D.A.麦克奈尔 ,  H.登贝尔 ,  A.J.兰佐内

IPC: H01S5/40 ,  H04N9/31 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/022 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G09G3/2018 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2340/06 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3161 ,  H01S5/105

Abstract: 由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠，每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内，从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射，该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的，使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。

公开(公告)号：CN106025799A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610188751.X

申请日：2016-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑政玮 ,  E·里欧班端 ,  李宁 ,  D·K·萨达纳 ,  徐崑庭

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2214 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  H01S5/323

Abstract: 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。

公开(公告)号：CN103107481B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310049689.2

申请日：2008-12-17

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： A.莱利 ,  C.艾克勒 ,  W.施米德 ,  S.陶茨 ,  W.赖尔 ,  D.迪尼

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/166

Abstract: 一种激光源,其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。

公开(公告)号：CN102549858B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080036797.0

申请日：2010-08-16

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H.明希 ,  S.格罗嫩博恩

IPC: H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/18388 ,  H01S3/08068 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/105 ,  H01S5/14 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/187 ,  H01S2301/18 ,  H01S2301/203

Abstract: 本发明涉及一种激光器件，其包括至少一个大面积VCSEL（101）以及至少一个光学反馈元件（201，301），所述光学反馈元件对于从所述激光器发射的激光辐射提供角度选择性反馈。对于以相对于激光器的光轴（601）的角度θ>0发射的激光辐射的至少一部分而言，与针对在所述光轴（601）上发射的激光辐射相比，所述角度选择性反馈更高。本发明也涉及一种将大面积VCSEL的激光发射稳定在希望的角度分布（501，502）下的方法。利用所提出的器件和方法，可以将大面积VCSEL的强度分布稳定在希望的形状，例如环形形状。

公开(公告)号：CN102714395B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201080062644.3

申请日：2010-01-29

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： D.A.法塔尔 ,  R.G.博索莱尔 ,  M.R.T.谭

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/18363 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/2214 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的各种实施例是针对具有腔的表面发射激光器的，所述腔包括至少一个单层、非周期性亚波长光栅，在一个实施例中，一种表面发射激光器包括：光栅层（112），其被配置成具有非周期性亚波长光栅（122）；反射层；以及发光层（102），其被布置在光栅层与反射器之间。所述非周期性亚波长光栅被配置成具有光栅图案，所述光栅图案控制一个或多个内部腔模式的形状，并且控制从所述表面发射激光器发射的一个或多个外部横模的形状。

公开(公告)号：CN104600089A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201310526589.4

申请日：2013-10-31

Applicant: 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

Inventor： 邱镜学 ,  林雅雯 ,  凃博闵 ,  黄世晟

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/026 ,  H01L27/15 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种光电模组，包括基板及同时形成在所述基板上的激光二极管芯片及发光二极管芯片。本发明还设置所述光电模组的制造方法。本发明中，所述光电模组具有同时生成与基板上的发光二极管及激光二极管，相对与传统的分离的激光二极管及发光二极管所占的空间小，达到了节约空间的目的。

公开(公告)号：CN103217737A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310015551.0

申请日：2013-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵垘基 ,  金泽 ,  朴永洙

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S5/18358 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18325 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2031

Abstract: 本发明提供一种用于光子集成电路的光源及其制造方法和光子集成电路。用于光子集成电路的光源可以包括：反射耦合层，形成在衬底上，在衬底中提供有光波导，反射耦合层的至少一侧光学地连接到光波导；光学模式对准层，提供在反射耦合层上；和/或上结构，提供在光学模式对准层上，并且包括用于产生光的有源层和提供在有源层上的反射层。用于光子集成电路的光源可以包括：下反射层；光学地连接到下反射层的光波导；在下反射层上的光学模式对准层；在光学模式对准层上的有源层；和/或在有源层上的上反射层。

公开(公告)号：CN101527429B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910126691.9

申请日：2009-03-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 笹畑圭史 ,  松本启资 ,  青柳利隆 ,  近藤正彦 ,  森藤正人 ,  百濑英毅

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/12 ,  H01S5/026 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S5/12 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/32391 ,  H01S5/3403

Abstract: 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。

公开(公告)号：CN101821917B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880110570.9

申请日：2008-10-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 井久田光弘

IPC: H01S5/187 ,  H01S5/183 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/18 ,  H01S5/105 ,  H01S5/187 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2027

Abstract: 当由不能大量提取折射率差的半导体材料配置表面发射激光器(100)时，提供使用能够形成波导的光子晶体(160)的表面发射激光器。

公开(公告)号：CN101359808B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810129466.6

申请日：2008-07-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 井久田光弘

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/187 ,  H01S5/125 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18372 ,  B82Y20/00 ,  G02B2006/1213 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/209 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/166

Abstract: 本发明提供一种能够高度精确地且容易地在半导体内形成光子晶体结构而不用直接接合的制造表面发射激光器的方法。它是通过在基板上层叠包括活性层和其中形成有光子晶体结构的半导体层的多个半导体层的方法，所述方法包括步骤：在第一半导体层上形成第二半导体层以形成光子晶体结构，在第二半导体层中形成多个微孔，经由所述多个微孔在第一半导体层的一部分中形成低折射率部分，从而给第一半导体层提供在平行于基板的方向上具有一维或二维折射率分布的光子晶体结构，以及通过从第二半导体层的表面晶体再生长而形成第三半导体层。