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公开(公告)号：CN101847824B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201010173999.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括：激光器芯片，具有谐振腔端部表面；和光吸收膜，形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上，以吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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公开(公告)号：CN102136673B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110041101.X
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：III-V族氮化物半导体层；设置在III-V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN101383481B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810004011.1
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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公开(公告)号：CN101232151B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810005122.4
申请日：2008-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 一种半导体激光器(10)包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜(31)，其中涂布膜(31)具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示涂布膜(31)对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据厚度d和折射率n的、所述发光部处的反射率。
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公开(公告)号：CN100568563C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710085676.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499619A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910007989.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN1983748A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610171711.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN1921243A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121688.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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公开(公告)号：CN1805230A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510136195.3
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III－V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN109417268A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039047.0
申请日：2017-01-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 光模块(第一模块(1))中，从发光点射出相互不同波长的光的多个半导体激光元件(第一半导体激光元件(21)至第三半导体激光元件(23))搭载在基座部件(10)上。基座部件(10)具有作为高度方向(Z)上的基准的基准面(11)，和搭载有半导体激光元件的搭载面(第一搭载面(12a)及第二搭载面(12b))。多个半导体激光元件中的至少一部分，从与搭载面相接的面开始到发光点为止的高度(第一发光高度(TL1)至第三发光高度(TL3))互不相同，从基准面开始到发光点为止的高度(基准高度(HL))大致相等。
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