公开(公告)号：CN109671736A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710953109.0

申请日：2017-10-13

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 刘志建 ,  谢朝景 ,  杨玉如 ,  周孝邦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/265 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/0843 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一基底，该基底中包含有一扩散区，一晶体管结构，位于该基底上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该基底上，其中该电阻式随机存取存储器包含有至少一金属硅化物层直接接触该扩散区，以及一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该金属硅化物层上。

公开(公告)号：CN106098933B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201610459395.0

申请日：2010-12-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 尼尔·格里利 ,  巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 ,  古尔特杰·桑胡 ,  约翰·斯迈思

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2481 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。

公开(公告)号：CN108475726A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074527.6

申请日：2016-12-15

Applicant: 美高森美SOC公司

Inventor： J·L·麦科勒姆 ,  F·扎维 ,  F·K·霍利

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/085 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种电阻式随机存取存储器器件在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成并且包括：被布置在第一金属层之上的第一势垒层，被布置在第一势垒层之上的隧穿电介质层，被布置在隧穿电介质层之上的固体电解质层，被布置在固体电解质层之上的离子源层，以及被布置在离子源层之上的第二势垒层。

公开(公告)号：CN108140409A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680042371.3

申请日：2016-06-03

Applicant: 澳大利亚高级材料有限公司

Inventor： 储德韦 ,  西恩·穗湘·李

IPC: G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

Abstract: 一种用于存储器件的存储器结构，包括至少一个第一层和至少一个第二层，该至少一个第一层包括多个第一元件，该至少一个第二层包括多个第二元件，其中，所述存储器结构具有可以响应于施加到其上的电动势而改变的电阻状态。

公开(公告)号：CN107665946A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610614946.6

申请日：2016-07-29

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 易亮 ,  许加庆 ,  王献德 ,  陈克基

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1293 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/08 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括一基板、一底部金属层、一电阻式随机存取存储(ReRAM)单元结构以及一上部金属层。底部金属层位于基板上方，ReRAM单元结构形成于底部金属层上。ReRAM单元结构包括一底电极、一存储单元层、一顶电极及一侧壁子，存储单元层形成于底电极上，顶电极形成于存储单元层上，侧壁子形成于底电极、存储单元层以及顶电极的两侧上。上部金属层电连接至顶电极并直接接触顶电极。

公开(公告)号：CN104465496B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310581646.9

申请日：2013-11-18

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 施彦豪 ,  吕函庭

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/481 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/249 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L2224/16145

Abstract: 本发明公开了一种用于三维装置具有多个垂直延伸的导体的装置及制造方法，三维(three dimensional，3D)电路中的导体可透过两段式刻蚀处理来形成。此3D电路包含具多个垂直延伸于高长宽比沟道之中的水平线。此处理包括：提供一衬底，此衬底具有多个间隔开的叠层；在这些间隔开的叠层之间，形成一垂直柱图样；以及形成一水平线图样于这些间隔开的叠层上的导体材料本体上，这些水平线是连接垂直柱图样中的多个垂直柱。导体材料可沉积于这些间隔开的叠层上。一第一刻蚀处理可用来形成垂直柱图样。一第二刻蚀处理可用来形成水平线图样。这些导体可作为3D存储器中的位线或字线。

公开(公告)号：CN106876583A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610120845.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 华邦电子股份有限公司

Inventor： 陈达 ,  王炳琨 ,  廖绍憬 ,  许博砚 ,  陈宜秀 ,  沈鼎瀛 ,  吴伯伦 ,  林孟弘

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层，其为氧供应层，至少设置于氧交换层的侧壁。本发明提供的电阻式随机存取存储器，能够增进存储器元件的高温数据保持特性以及耐久性，并且能够增加存储器元件的产率以及稳定度。

公开(公告)号：CN103238215B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180057866.0

申请日：2011-11-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘峻

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C5/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明揭示一种每单位单元包含五个存储器单元的非易失性存储器单元阵列。本发明还揭示一种包含五个存储器单元的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述五个存储器单元占据所述层中的个别层内的4F的连续水平面积。本发明还揭示一种包括多个单位单元的非易失性存储器单元阵列，所述多个单位单元个别地包括可编程材料的三个竖直区，所述三个竖直区包括所述单位单元的至少三个不同存储器单元的所述可编程材料。本发明还揭示一种包含连续体积的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述连续体积具有多个经垂直定向的存储器单元与多个经水平定向的存储器单元的组合。本发明揭示其它实施例及方面。

公开(公告)号：CN105990519A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510061920.9

申请日：2015-02-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘琦 ,  刘明 ,  孙海涛 ,  吕杭炳 ,  龙世兵 ,  瑞塔姆·白纳吉 ,  张康玮

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

Abstract: 一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多个纳米孔的位置进入到阻变功能层中。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在易氧化金属电极与阻变功能层之间增加含有纳米孔的石墨烯插层结构，阻挡金属离子的扩散，使得器件在编程过程中易氧化金属电极中形成的金属离子只能通过纳米孔的位置处进入到阻变功能层，从而控制导电细丝生长位置。

公开(公告)号：CN105938842A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201510555674.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川嶋智仁 ,  藤井章辅

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2481 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

Abstract: 本申请涉及一种电阻随机存取存储器装置。电阻随机存取存储器装置包含：第一线路，其在第一方向上延伸；第一离子源层，其经提供于所述第一线路上的第一部分中；及第一可变电阻层，其经提供于所述第一离子源层上。所述电阻随机存取存储器装置还包含第二线路，其经提供于所述第一可变电阻层上、面向所述第一部分且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述电阻随机存取存储器装置还包含：第二可变电阻层，其经提供于所述第二线路上的第二部分中；第二离子源层，其经提供于所述第二可变电阻层上；及第三线路，其经提供于所述第二离子源层上、面向所述第二部分且在所述第一方向上延伸。所述第一离子源层由不同于所述第二离子源层材料的材料形成。