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公开(公告)号：CN112259681B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201910659402.5
申请日：2019-07-22
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法。此电阻式随机存取存储器结构包括依序形成于基板上的底电极层、电阻转态层及注入控制层。电阻转态层包括导电丝局限区及围绕导电丝局限区的外围区。此电阻式随机存取存储器结构包括保护层及顶电极层。保护层共形地覆盖底电极层、电阻转态层及注入控制层，且具有一开口。顶电极层位于注入控制层上，且顶电极层的一部分填入开口中。顶电极层的位置对应于导电丝局限区的位置，且顶电极层的顶表面高于保护层的顶表面。
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公开(公告)号：CN106876583B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201610120845.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层，其为氧供应层，至少设置于氧交换层的侧壁。本发明提供的电阻式随机存取存储器，能够增进存储器元件的高温数据保持特性以及耐久性，并且能够增加存储器元件的产率以及稳定度。
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公开(公告)号：CN109147860A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710498769.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。
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公开(公告)号：CN105097021B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410217577.8
申请日：2014-05-22
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 一种电阻式存储器的形成以及测试方法。一存储器阵列包括多个电阻式存储单元。一处理模块用以依序提供一第一形成电压以及一第二形成电压至上述电阻式存储单元，以便将上述电阻式存储单元由一绝缘状态切换成一阻抗状态。上述处理模块提供一重置电压至上述电阻式存储单元，以便将上述电阻式存储单元的上述阻抗状态转变为一第一阻抗。上述处理模块提供一设定电压至上述电阻式存储单元，以便将上述电阻式存储单元的上述阻抗状态由上述第一阻抗转变为一第二阻抗。上述设定电压大于上述第二形成电压，以及上述第二形成电压大于上述第一形成电压。
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公开(公告)号：CN104465986A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310424207.7
申请日：2013-09-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器及其制作方法。此方法是先于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；然后，于基底上形成覆盖第一电极、可变电阻层与掩膜层的介电层。接着，进行蚀刻工艺，于介电层与掩膜层中形成开口，此开口暴露出部分可变电阻层。而后，于开口中形成第二电极。之后，于第二电极上形成导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141816B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110900978.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种存储元件，包括：电阻切换层、导电柱、阻障层、字线、多个电阻层以及多条位线。电阻切换层呈杯状且具有内表面以定义出开口。导电柱配置在开口中。阻障层配置在电阻切换层与导电柱之间。字线与导电柱电性连接。多个电阻层分别分布在电阻切换层的外表面。多条位线分别与多个电阻层电性连接。
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公开(公告)号：CN114141816A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110900978.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种存储元件，包括：电阻切换层、导电柱、阻障层、字线、多个电阻层以及多条位线。电阻切换层呈杯状且具有内表面以定义出开口。导电柱配置在开口中。阻障层配置在电阻切换层与导电柱之间。字线与导电柱电性连接。多个电阻层分别分布在电阻切换层的外表面。多条位线分别与多个电阻层电性连接。
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公开(公告)号：CN106356450B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510415026.7
申请日：2015-07-15
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储元件及其制造方法。存储元件包括衬底、电容器、保护元件、第一金属内连线以及第二金属内连线。电容器位于第一区的衬底上。保护元件位于第二区的衬底中。电容器包括多个下电极、上电极以及电容介电层。上电极具有第一部分以及第二部分，其中第二部分延伸至第二区。电容介电层位于下电极与上电极之间。第一金属内连线位于电容器与衬底之间。第二金属内连线位于上电极的第二部分与保护元件之间，其将上电极电性连接至保护元件。本发明可减少等离子体损害的产生，以提升产品的可靠度与良率。
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公开(公告)号：CN105321559B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410372747.X
申请日：2014-07-31
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电阻式随机存取存储装置及其操作方法。在形成期间分别提供每个个电阻式随机存取记忆胞一预设偏压电流，以均匀化每个电阻式随机存取记忆胞的阻抗值，进而提高资料存取的可靠性。
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公开(公告)号：CN105024011B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201410159086.2
申请日：2014-04-18
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。该电阻式随机存取存储器包括第一电极层、第二电极层以及设置在该第一电极层和该第二电极层之间的可变电阻层，其中该第二电极层包括第一子层、第二子层和设置在该第一子层和该第二子层之间的导电性金属氮氧化物层。通过本发明可以改善电阻式随机存取存储器在高温状态下数据保持能力不佳的问题。
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