公开(公告)号：CN103219353B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310017870.5

申请日：2013-01-17

Applicant: 施乐公司 ,  加拿大国家研究委员会

Inventor： R·L·迈克科瑞里 ,  L·C·T·舒特 ,  吴贻良

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/00

CPC classification number: G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/53 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/14

Abstract: 一种非易失性存储设备，包含提供于基底上的至少第一电极和第二电极，第一和第二电极彼此分离；电连接第一和第二电极的有机半导体聚合物；与有机半导体聚合物接触的电解质；以及不与第一电极、第二电极和有机半导体聚合物接触的第三电极；其中有机半导体聚合物具有第一氧化还原态——在其中显示出第一电导率，以及第二氧化还原态——在其中其显示出第二电导率。

公开(公告)号：CN106206941A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610611579.4

申请日：2016-07-30

Applicant: 南昌大学

Inventor： 石海平 ,  程抱昌

IPC: H01L45/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16

Abstract: 一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器，其特征是包括源极、二氧化硅氧化层、P型硅片、单根一维氧化锌/碳杂化纳米线、栅极、漏极、导线；在P型硅片上表面为二氧化硅氧化层，在二氧化硅氧化层的中间位置水平放置单根一维氧化锌/碳杂化纳米线，单根一维氧化锌/碳杂化纳米线的两端分别为源极和漏极，栅极位于P型硅片衬底底面中心；源极、漏极、栅极分别通过在单根一维ZnO/C杂化纳米线的两端和P型硅片衬底底面中心点银、金或铂浆获得。本发明的多比特存储器具有良好的电阻开关特性，可作为场效应晶体管存储器件使用，器件的制备工艺简单，对实际应用非常有利。

公开(公告)号：CN105576120A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510067957.2

申请日：2015-02-09

Applicant: 科洛斯巴股份有限公司

Inventor： S·P·麦克斯维尔 ,  K-H·金 ,  S·H·乔

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 本文描述用于硅基导电膜的低温沉积，提供用于固态存储器的硅基电性导体的低温沉积。在各种公开实施例中，所述硅基导体可以形成存储器单元的电极、电子装置的导电组件之间的互连、导电穿孔、导线等等。此外，所述硅基电性导体可以形成作为单晶工艺结合互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的制造的一部分。在具体的实施例中，所述硅基电性导体可以是p型硅锗化合物，即其在兼容CMOS装置制造的温度下沉积时被激活。

公开(公告)号：CN105514114A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610028977.3

申请日：2011-10-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 角野润 ,  本田元就

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。

公开(公告)号：CN102959750A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180033400.7

申请日：2011-06-03

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： U.波佩 ,  D.韦伯 ,  Y.迪文 ,  M.法利

IPC: H01L39/14 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L39/223 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/53 ,  H01L39/145 ,  H01L39/228 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明涉及一种可通过离子运动来开关的三栅极器件。该三栅极器件具有源电极（3）、漏电极（3）以及连接在所述源电极与所述漏电极之间的沟道（2），所述沟道由其电导率能够通过输入和/或输出离子来改变的材料制成。根据本发明，所述三栅极器件包括与栅电极（6）接触的离子池（5），所述离子池与所述沟道连接得使得在给所述栅电极施加电势时所述离子池能够与所述沟道交换离子。已经认识到，在将一起存在于离子池和沟道中的离子在离子池和沟道上分布时，在三栅极器件中可以存储信息。离子在沟道上和在离子池上的分布当且仅当给栅电极施加相应驱动电势时才改变。因此与RRAM不同，不存在“时间－电压困境”。

公开(公告)号：CN101512788B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200780033735.2

申请日：2007-07-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘峻 ,  迈克·瓦奥莱特 ,  乔恩·戴利

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明揭示一种相变存储器元件(100)及形成所述相变存储器元件的方法。所述存储器元件包含电耦合到第一(14)及第二(22)传导材料层的相变材料层(24)。能量转换层(18)经形成而与所述相变材料层相关联且电耦合到第三传导材料层(26)。在所述相变材料层与所述能量转换层之间形成电隔离材料层(17)。

公开(公告)号：CN102231424A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201110172963.6

申请日：2011-06-24

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  李群庆 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1226 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144

Abstract: 本发明提供一种相变存储单元，所述相变存储单元包括：一数据写入电路，该数据写入电路包括依次串联的一第一电极、至少一碳纳米管层以及一第二电极，用于相变存储单元工作过程中的数据写入；一数据读取电路，该数据读取电路包括依次串联的一第三电极、至少一相变层以及一第四电极，用于相变存储单元工作过程中的数据读取，其中，所述至少一相变层与所述至少一碳纳米管层至少部分层叠设置。本发明进一步提供一种具有所述相变存储单元的相变存储器。

公开(公告)号：CN101359649A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810144109.7

申请日：2008-07-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈冠能 ,  L·克鲁辛-艾保姆 ,  丹尼斯·M·纽恩斯 ,  萨姆帕斯·普鲁肖萨曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L28/20 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供可编程通孔器件及其制造方法和集成逻辑电路。在一个方面中，提供一种可编程通孔器件。该可编程通孔器件包括：第一介电层；加热器，在第一介电层上；气隙，将加热器的至少一部分与第一介电层分开；隔离层，在第一介电层上，覆盖加热器的至少一部分；覆盖层，在隔离层的与第一介电层相对侧上；至少一个可编程通孔，延伸穿过覆盖层和隔离层的至少一部分，并与加热器接触，可编程通孔包括至少一种相变材料；导电覆盖，在可编程通孔上；第二介电层，在覆盖层与隔离层相对侧上；第一导电通孔和第二导电通孔，每一个都延伸穿过第二介电层、覆盖层和隔离层的至少一部分，并与加热器接触；和第三导电通孔，延伸穿过第二介电层，并与导电覆盖接触。

公开(公告)号：CN1934706A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200480042478.5

申请日：2004-12-10

Applicant: 能源变换设备有限公司

Inventor： S·R·奥夫辛斯基

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L45/1233 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/53 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/144

Abstract: 本发明公开一种多端子逻辑器件。该器件包括具有晶态和非晶态的相变材料，该相变材料与三个或三个以上电端子电连通。该相变材料能够响应所施加的电能而经受非晶态和晶态之间的可逆变换，其中，非晶态和晶态表现出可测量的不同电阻。施加在一对端子之间的电流或电压脉冲形式的电能影响这对端子之间的结构状态和测量的电阻。在本器件中，在不同的端子对之间提供独立的输入信号，并且测量作为另一对端子之间的电阻的输出。通过所施加的输入信号和所测得的输出电阻之间的关系，实现了逻辑功能，其中，该关系由输入信号对相变材料的结构状态和电阻的影响决定。可以将逻辑值与相变材料的晶态和非晶态相关联，或者可以使它们与一对端子之间测量的电阻相关联。

公开(公告)号：CN1559090A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02818779.2

申请日：2002-09-24

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  日本电气株式会社

Inventor： 阪本利司 ,  青野正和 ,  长谷川刚 ,  中山知信 ,  寺部一弥 ,  川浦久雄 ,  杉林直彦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。