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公开(公告)号：CN117729777A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211093778.2
申请日：2022-09-08
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器(RRAM)及其制造方法，可有效控制导电通路的位置与形状，进而提升可靠度与效能的均一性。RRAM包含多个底部接触结构形成于基板中、多个存储器单元形成于基板上、及绝缘结构形成于相邻的存储器单元之间。存储器单元包含底电极层、两个L型电阻转换层、多个氧离子扩散阻挡层及顶电极层。底电极层形成于其中一个底部接触结构上。L型电阻转换层包含水平部分及垂直部分，且形成于底电极层上。氧离子扩散阻挡层形成于L型电阻转换层的垂直部分的内外侧壁上。L型电阻转换层位于顶电极层与底电极层之间。
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公开(公告)号：CN112864185B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201911098593.9
申请日：2019-11-12
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电桥式随机存取存储器及其制造方法。此电桥式随机存取存储器包括底电极、金属间介电质、电阻转态组件以及顶电极。其中底电极位于基板上，金属间介电质位于底电极上。电阻转态组件位于底电极上和位于金属间介电质中，且具有倒T型的剖面。顶电极位于电阻转态组件以及金属间介电质上。本发明的电桥式随机存取存储器可以限制导电路径形成位置，还可以良好控制高电阻状态和低电阻状态之间的转换，并且降低电桥式随机存取存储器中不同的存储单元的操作变异性，进而提高最终产品的良率及可靠度。
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公开(公告)号：CN111430537B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910019427.9
申请日：2019-01-09
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)，可改进RRAM的数据保持能力且能提高存储密度。RRAM包括下电极、上电极、第一可变电阻层以及第二可变电阻层。下电极设置于衬底上，且为单一电极或彼此电性相连的电极对。上电极设置于下电极上，且重叠于下电极。第一可变电阻层与第二可变电阻层设置于衬底上。至少一部分的第一可变电阻层设置于下电极与上电极之间，且至少一部分的第二可变电阻层设置于下电极与上电极之间并连接于第一可变电阻层。
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公开(公告)号：CN115347115A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110522097.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储单元及其制造方法，所述电阻式随机存取存储单元包括第一电极、氧存储层、可变电阻层以及第二电极。第一电极位于介电层上，包括主体部，在第一方向延伸；以及多个延伸部，与主体部的侧壁连接，在第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直。氧存储层覆盖第一电极。可变电阻层，位于第一电极层与氧存储层之间。第二电极，位于氧存储层的顶面上方以及氧存储层的上侧壁周围。
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公开(公告)号：CN115148898A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110332090.4
申请日：2021-03-29
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含：基板、第一电极、空位供应层、侧壁阻障层、氧储存层、阻值转换层以及第二电极；第一电极设置于基板上；空位供应层设置于第一电极上；侧壁阻障层设置于第一电极上；氧储存层设置于第一电极上，且侧壁阻障层设置于氧储存层与空位供应层之间；阻值转换层设置于空位供应层上；第二电极设置于阻值转换层上。使得半导体结构中同时具有氧离子导通路径与空位导通路径，来获得更优良的电性特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113889568A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010618203.2
申请日：2020-07-01
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括：介电层、下电极、数据储存层、隔离结构、第一储氧层、第二储氧层以及上电极。下电极突出于介电层的顶面。数据储存层共形地覆盖下电极与介电层。隔离结构配置在下电极上。第一储氧层配置在隔离结构的第一侧处的数据储存层上。第二储氧层配置在隔离结构的第二侧处的数据储存层上。隔离结构分隔第一储氧层与第二储氧层。上电极配置在第一储氧层与第二储氧层上且被第一储氧层与第二储氧层共享。另提供一种电阻式随机存取存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN110298203A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810243005.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G06F21/76
Abstract: 本发明提出了一种金钥产生装置及方法，该金钥产生装置包括一第一存取电路、一第一运算电路以及一第一验证电路。在一写入期间，第一存取电路写入一第一预设数据至一第一电阻式存储单元。在一随机化程序后，第一存取电路读取流经第一电阻式存储单元的一第一电流。第一运算电路对第一电流进行计算，用以产生一第一计算结果。第一验证电路根据第一计算结果，产生一第一密码。
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公开(公告)号：CN105788631B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201410775209.5
申请日：2014-12-15
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种高可靠度的电阻式随机存取存储器以及其制作方法，所述存储器包括一存储单元以及一控制单元。该存储单元位于一存储单元阵列中，由一字线、一位线、一源线控制以及一切换逻辑电路。该控制单元包括一字线解码器、一位线解码器以及一源线解码器。该字线解码器用于设定字线上的电位。该位线解码器用于设定该位线上的电位。该源线解码器用于设定源线上的电位。该切换逻辑电路是于第一状态以及第二状态间切换运作，使存储单元的多次读取操作是位线解码器以及源线解码器轮替操作使读取电压轮替施加于位线以及源线上。本发明轮替使用流向相反的读取电流使存储单元的读/写电子特性不易受损，电阻式随机存取存储器的使用寿命有效延长。
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公开(公告)号：CN104465986B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310424207.7
申请日：2013-09-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器及其制作方法。此方法是先于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；然后，于基底上形成覆盖第一电极、可变电阻层与掩膜层的介电层。接着，进行蚀刻工艺，于介电层与掩膜层中形成开口，此开口暴露出部分可变电阻层。而后，于开口中形成第二电极。之后，于第二电极上形成导电层。
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公开(公告)号：CN105280811B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410315518.4
申请日：2014-07-03
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电阻式非易失性存储器装置及其制造方法。上述电阻式非易失性存储器装置包括一第一电极；一第二电极，设置于上述第一电极上；一电阻转态层，设置于上述第一电极和上述第二电极之间，其中上述电阻转态层包括一第一区域，具有一第一氮原子浓度；一第二区域，相邻于上述第一区域，其中第二区域具有不同于上述第一氮原子浓度的一第二氮原子浓度。本发明能够提升电阻式非易失性存储器装置的可靠度。
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