公开(公告)号：CN116666458A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210149475.1

申请日：2022-02-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 张志谦 ,  王献德 ,  杨承桦 ,  方玲刚 ,  杨建军 ,  塔威

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种功率元件及其制作方法，其中该功率元件包含：基底；离子阱，位于基底中；基体区，位于离子阱中；源极掺杂区，位于基体区中；漏极掺杂区，位于离子阱中；以及多个栅极，设置在源极掺杂区和漏极掺杂区之间的基底上。多个栅极包含与源极掺杂区相邻的第一栅极、与漏极掺杂区相邻的第二栅极、以及位于第一栅极和第二栅极之间的叠栅结构。

公开(公告)号：CN115867033A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111119875.X

申请日：2021-09-24

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈震 ,  程伟 ,  陈国文 ,  王献德

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明公开一种半导体存储器结构及其制造方法，其中该半导体存储器结构包含基底，具有元件单元区和接触形成区；存储单元晶体管，设置在元件单元区内的基底上，存储单元晶体管包含栅极和位于栅极和基底之间的电荷存储结构，其中栅极包含位于接触形成区内的延伸部；第一间隙壁，设置在元件单元区内的栅极的侧壁上，其中，第一间隙壁具有第一高度；以及第二间隙壁，设置在接触形成区域内的栅极的延伸部的侧壁上，其中，第二间隙壁具有第二高度，高于第一间隙壁的第一高度。

公开(公告)号：CN106653762B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201510724303.2

申请日：2015-10-30

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈克基 ,  王献德

IPC: H01L27/11563

Abstract: 本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括基底、埋入式电荷存储晶体管以及选择晶体管。在基底中具有开口。埋入式电荷存储晶体管设置于基底中。埋入式电荷存储晶体管包括电荷存储结构与导体层。电荷存储结构设置于开口中的基底上。导体层设置于电荷存储结构上，且填满开口。选择晶体管设置于埋入式电荷存储晶体管一侧的基底上，其中选择晶体管包括金属栅极结构。所述非挥发性存储器具有较佳的电荷存储能力。

公开(公告)号：CN106653762A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510724303.2

申请日：2015-10-30

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 陈克基 ,  王献德

IPC: H01L27/11563

Abstract: 本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括基底、埋入式电荷存储晶体管以及选择晶体管。在基底中具有开口。埋入式电荷存储晶体管设置于基底中。埋入式电荷存储晶体管包括电荷存储结构与导体层。电荷存储结构设置于开口中的基底上。导体层设置于电荷存储结构上，且填满开口。选择晶体管设置于埋入式电荷存储晶体管一侧的基底上，其中选择晶体管包括金属栅极结构。所述非挥发性存储器具有较佳的电荷存储能力。

公开(公告)号：CN118693146A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310352580.X

申请日：2023-04-04

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨承桦 ,  张志谦 ,  王献德 ,  杨建军 ,  塔威 ,  张原祥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种功率金属氧化物半导体结构以及其制作方法，其中该功率金属氧化物半导体结构包括一半导体基底、一栅极电极、一场板以及一导电图案。栅极电极与场板设置在半导体基底之上，导电图案在一垂直方向上设置在场板与半导体基底之间，且场板与导电图案位于栅极电极在一水平方向上的同一侧。一种功率金属氧化物半导体结构的制作方法包括下列步骤。在半导体基底的一第一区之上形成导电图案以及场板。然后，在半导体基底的第一区之上形成栅极电极。

公开(公告)号：CN114843396A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110219081.4

申请日：2021-02-26

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 许加庆 ,  向往 ,  王献德

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种可变电阻式存储器(resistive random‑access memory,RRAM)装置及其形成方法，其中该可变电阻式存储器装置包含有一底电极线、一岛状顶电极以及一电阻材料。底电极线直接位于一第一金属结构上。岛状顶电极设置于底电极线侧边。电阻材料夹置于底电极线的侧壁以及岛状顶电极的侧壁之间。本发明还提供一种形成此可变电阻式存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN108962908B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201710385065.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 刘暐昌 ,  陈震 ,  王献德 ,  向往 ,  塔威 ,  孙川

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明公开一种闪存存储器存储单元，包含一基底、一存储器栅极，设于基底上、一电荷存储层，介于存储器栅极与基底间、一选择栅极，邻近存储器栅极、一选择栅极介电层，设于选择栅极与基底间、一第一氧化物‑氮化物间隙壁，介于存储器栅极与选择栅极间，及一第二氧化物‑氮化物间隙壁。选择栅极包含一上端部位及一下端部位。第二氧化物‑氮化物间隙壁仅介于第一氧化物‑氮化物间隙壁与选择栅极的上端部位间。

公开(公告)号：CN104952875A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410119334.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 邱意珊 ,  王献德 ,  陈震 ,  张原祥 ,  张志谦 ,  杨建军 ,  塔威

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开一种存储单元以及其制作方法。存储单元包含一基底、一栅极介电层、一图案物质层、一选择栅极以及一控制栅极。栅极介电层设置在基底。图案物质层设置在基底上且包含一水平部分以及一垂直部分。选择栅极设置在基底且位于垂直部分的一侧。控制栅极设置在水平部分上且位于垂直部分的另一侧。图案物质层的垂直部分突出于选择栅极的顶部。本发明提供了另外一种存储单元的实施方式以及其制作方法。

公开(公告)号：CN101847607B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200910130682.7

申请日：2009-03-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 王献德 ,  温增飞

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明提供一种快闪存储器的制作方法及一种应用在快闪存储器的绝缘结构，其特征在于形成一个T字状的浅沟槽隔离，此浅沟槽隔离具有一个加宽的帽盖层覆盖于基底以及一个渐缩的底部嵌入基底。此T字状的浅沟槽隔离的优点在于其加宽的帽盖层可以在形成快闪存储器的浮置栅极侧翼的时候，提供较大的工艺宽裕度以提升产品良率。

公开(公告)号：CN118676126A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310260845.3

申请日：2023-03-17

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 刘暐昌 ,  向往 ,  许加庆 ,  曾勇霖 ,  王献德

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明公开一种虚置闪存存储器结构之间的电阻包含一基底，基底包含一电阻区和一闪存存储器区，一第一虚置存储栅极结构和一第二虚置存储栅极结构设置在电阻区内的基底上以及一多晶硅电阻设置于第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构之间并且多晶硅电阻接触第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构。