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公开(公告)号：CN119826995A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510329740.8
申请日：2025-03-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种温度传感器，包括：带隙电路，减法器，加法器，DAC模块，比较器以及SAR逻辑模块；带隙电路产生与温度成负相关的两个电压，将该两个电压输入至减法器，产生电压kΔVBE，k表示减法器的比例系数，将VBE2与kΔVBE输入至加法器，产生与温度无关的电压，将加法器输出的电压输入至DAC模块进行数模转换，得到DAC模块输出的电压VDAC，将VDAC与kΔVBE输出至比较器的输入端进行比较，比较器将比较结果输出至SAR逻辑模块中，SAR逻辑模块输出控制信号至DAC模块中，同时输出数字编码。
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公开(公告)号：CN119628419B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510170707.5
申请日：2025-02-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC转换器的过零检测电路及过零检测方法，该电路包括过零检测比较电路、采样保持与电平移位电路、电压差值量化积分电路；过零检测比较电路通过比较电感电压和电源地判断电感电流是否过零并输出过零检测信号，采样保持与电平移位电路根据过零检测产生时钟短脉冲用于对电感电压进行采样，并对电感电压和电源地进行电平移位；电压差值量化积分电路利用电平移位后的电感电压和电源地为第三电容进行充电或放电，得到的电容电压反馈至过零检测比较电路中，控制下一周期的过零检测比较的快慢。本发明利用反馈环路控制过零检测比较电路中栅控电阻大小来改变电流从而修正过零电压的位置，实现纠正过零检测过早过晚关闭的目的。
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公开(公告)号：CN119126909B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411623866.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种宽输入范围的预稳压电路，带载能力强，随温度变化小，输出电压好调。在能隙基准1.2V电压的基础上，利用三极管和电容的温度系数相反的特性，产生一个随温度变化小的电源电压，在‑50°‑125°温度范围内，电源压降在200mV下，电压大小可按要求调节。以5V电源电压为例，本发明在5.7V‑60V的输入电压范围内可以产生稳定的5V电压，在5.7V以下电压会随输入电压降低。本发明考虑到基准模块等轻载低压模块需要更为稳定的电源电压，设计了两级输出结构，第一级供轻载模块使用，第二级供重载模块使用。本发明带载能力强，经过仿真发现可以带载20mA。在电流负载突变时输出电压也可极快稳定。
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公开(公告)号：CN119652313A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510174256.2
申请日：2025-02-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于相位插值同步注入的快速启动晶体振荡器，包括数字模块，时间‑数字转换器，环形振荡器，相位插值模块，第一、第二电平移位器，放大器，晶体，第一、第二负载电容，第一至第四开关以及比较器；本发明利用对晶体进行间歇性能量注入的方式加速晶体启动，在注入间隔中，利用时间‑数字转换器检测注入相位和晶体振荡信号的时间差，利用相位插值模块生成正确的注入相位，实现快速启动。本发明实现了高效率的能量注入，保证了晶体振荡幅度的稳定增长；且基于相位插值模块的同步注入技术降低了能量注入信号的精度要求，在保证启动效率的同时，降低了片上注入源的设计难度，显著优化芯片的良率。
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公开(公告)号：CN119545850A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411642011.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种变宽度负电容层双栅鳍式场效应晶体管及其制备方法，包括半导体衬底、埋氧层、鳍式有源区、栅氧化层、变宽度负电容层、隔离氧化层、金属栅和侧墙；鳍式有源区包括沿长度方向依次布设的源区、沟道区和漏区；变宽度负电容层对称布设在栅氧化层外侧，且其两端宽度不等。本发明在栅氧化层两侧覆盖一层宽度沿沟道变化的负电容层，利用变宽度负电容层变化的电压放大效应和栅漏耦合效应，将栅极电压可变地放大后施加到栅氧化层两侧，以提高鳍式场效应晶体管地沟道控制能力，降低晶体管地亚阈值摆幅，提高晶体管饱和区电流并减弱负电容场效应晶体管中常见的负微分电阻现象，从而降低晶体管功耗，提升晶体管性能以及在逻辑电路中的表现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119279568A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411402724.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有强伸缩性的柔性自供电可监测人体运动信号的肌肉贴，为一种三层结构的可穿戴电子传感器件；中间层为铁电驻极体，其内部含有大量大小不一、分布随机的孔洞；上下两层为电极层，以保证该肌肉贴具有良好的电气性能。本发明提出的可监测人体运动信号的肌肉贴，利用高分子聚合物、无水乙醇、柔性电极制备出含有大量人造孔洞的铁电驻极体，在高压处理后具有压电效应，能够以自供电的形式进行运动信号的监测与采集。所制备的肌肉贴具有超强的柔性和伸缩性，能够像电子皮肤一样穿戴于人体关节或肌肉处，当运动员开始运动时，具有压电效应的肌肉贴将会采集到运动信号并将信号传递给微处理器，从而实现对运动信号的监测和查看。
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公开(公告)号：CN118839622B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411324053.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件高精度二维电势仿真的加速方法，包括S1：获取数据集；S2：建立基于引入自注意力机制的深度卷积神经网络或者深度反向投影网络的二维电势预测模型；S3：预测二维电势的近似值；S4：高精度二维电势仿真。本发明利用一种快速且高精度的二维电势仿真方法，实现了半导体器件从结构参数到二维电势分布的高效仿真过程，与基于传统TCAD软件仿真相比，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的二维电势预测模型能实现从结构参数到二维电势分布的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
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公开(公告)号：CN118940693A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411426351.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于MOPSO的存算一体芯粒2.5D封装可靠性智能优化方法，包括如下步骤：S1.确定2.5D封装结构关键凸点参数；S2.按照田口正交实验划分的水平组合建立2.5D封装结构的等效有限元模型；S3.采用百分制加权评判法和信噪比的极差分析法，确定参数排名；S4.通过信噪比的极差分析法实现多目标综合评判，按照计算得出的权重占比进行百分制加权，得到不同水平组合的综合评分，确定最优2.5D封装结构参数方案；S5.采用最小二乘法对应力、翘曲以及综合评分的函数进行拟合；S6.采用MOPSO模型对多个目标变量进行寻优。本发明能够提前规避因翘曲、应力过大而导致产品可靠性失效的风险。
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公开(公告)号：CN118730924A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410750370.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01N21/25
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域，具体而言，涉及一种接收光谱式气体传感器及其制备方法。其中，接收光谱式气体传感器，包括：主体，包括第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底相互平行，第一衬底和第二衬底之间设置有气体腔；发光单元，设置于第一衬底，用于向气体腔内发出多束检测光；多个探测器，设置于第一衬底，并围绕发光单元的周向间隔分布；多个反射器，设置于第二衬底并与多个探测器相对应，能够反射多束检测光以使多束检测光分别被多个探测器接收。本申请实施例的接收光谱式气体传感器，能够实现多光路检测，有利于改善现有接收光谱式气体传感器因气体分散不均匀而导致检测误差的问题。
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公开(公告)号：CN118641590A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410573862.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，公开了一种自修复的气体传感器及其制作方法，此气体传感器包括气敏单元和发光单元，其中，气敏单元，其包括第一硅衬底，设置于所述第一硅衬底顶表面的氧化硅层，以及设置于所述氧化硅层顶表面的气敏电极，所述第一硅衬底和氧化硅层的中部具有贯穿腔；发光单元，设置于所述第一硅衬底的底表面，其包括第二硅衬底和设置于所述第二硅衬底中部区域的自修复发光阵列及加热发光阵列；所述自修复发光阵列和加热发光阵列均位于所述贯穿腔内；本发明中的气体传感器结构简单，一体性高，利用特定气敏材料的自修复性实现自修复，具有操作简单，稳定性好，使用寿命长的特点。
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