薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示装置

    公开(公告)号:CN105390503A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510536295.9

    申请日:2015-08-27

    Abstract: 公开了在同一基板上具有两个不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示装置。显示装置包括:包含多晶半导体材料的第一半导体层;包含氧化物半导体材料的第二半导体层;第一栅极电极,设置在第一半导体层的中间部分上且在其间具有第一栅极绝缘层;第二栅极电极,设置在第二半导体层的中间部分上且在其间具有第二栅极绝缘层;第一源极和漏极区域,设置在从第一半导体层的中间部分延伸的两个区域上且包含氧化物半导体材料;第二源极和漏极区域,限定在从第二半导体层的中间部分延伸的两个区域处;中间绝缘层,覆盖第一和第二半导体层、第一和第二栅极电极;和设置在中间绝缘层上的第一源极和漏极电极、第二源极和漏极电极。

    薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示装置

    公开(公告)号:CN105390503B

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201510536295.9

    申请日:2015-08-27

    Abstract: 公开了在同一基板上具有两个不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示装置。显示装置包括:包含多晶半导体材料的第一半导体层;包含氧化物半导体材料的第二半导体层;第一栅极电极,设置在第一半导体层的中间部分上且在其间具有第一栅极绝缘层;第二栅极电极,设置在第二半导体层的中间部分上且在其间具有第二栅极绝缘层;第一源极和漏极区域,设置在从第一半导体层的中间部分延伸的两个区域上且包含氧化物半导体材料;第二源极和漏极区域,限定在从第二半导体层的中间部分延伸的两个区域处;中间绝缘层,覆盖第一和第二半导体层、第一和第二栅极电极;和设置在中间绝缘层上的第一源极和漏极电极、第二源极和漏极电极。

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