公开(公告)号：CN106782259B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201610847685.2

申请日：2016-09-23

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 柳成彬 ,  李瑛长

IPC: G09G3/20

Abstract: 提供了一种显示装置以及驱动该显示装置的方法，该显示装置显示装置以及驱动该显示装置的方法通过使得像素能够以在低速驱动模式下比在正常驱动模式下低的刷新率被驱动并且将水平消隐时间控制为在低速驱动模式下比在正常驱动模式下长，来防止低速驱动期间图像质量的劣化。

公开(公告)号：CN109216374A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711023370.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 卢韶颖 ,  李瑛长 ,  金孝真 ,  池奕

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：通过穿透隔离绝缘层和第二层间介电层分别连接至第一源极电极和第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极，以提高元件的特性和显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN106782259A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201610847685.2

申请日：2016-09-23

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 柳成彬 ,  李瑛长

IPC: G09G3/20

Abstract: 提供了一种显示装置以及驱动该显示装置的方法，该显示装置显示装置以及驱动该显示装置的方法通过使得像素能够以在低速驱动模式下比在正常驱动模式下低的刷新率被驱动并且将水平消隐时间控制为在低速驱动模式下比在正常驱动模式下长，来防止低速驱动期间图像质量的劣化。

公开(公告)号：CN103728799A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210580009.5

申请日：2012-12-27

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  郑浩永 ,  李福永

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/42

Abstract: 一种具有最小边框的液晶显示装置。一种液晶显示（LCD）装置包括：上面安装有栅极驱动器的虚设区域；包括用于实现实际图像的多个像素区域的有效区域；以及设置在虚设区域中第一线和第二线，其中第一线形成在一基板上，第二线形成在绝缘层上，以便第一线的一部分与第二线的一部分交叠，在第一线与第二线之间夹有绝缘层。

公开(公告)号：CN109216374B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201711023370.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 卢韶颖 ,  李瑛长 ,  金孝真 ,  池奕

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。显示装置包括：通过穿透隔离绝缘层和第二层间介电层分别连接至第一源极电极和第一漏极电极的连接源极电极和连接漏极电极，以提高元件的特性和显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN104867921B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201510087376.5

申请日：2015-02-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  孙庚模 ,  赵圣弼 ,  朴帝薰 ,  李昭珩 ,  盧相淳 ,  朴文镐 ,  李成秦 ,  高承孝 ,  郑美真

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板的第一区域的第一薄膜晶体管，包括多晶硅多晶半导体层、在多晶硅多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板的第二区域的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；氮化物层，设置在所述基板除第二区域外的区域上，并覆盖第一栅极电极；以及氧化物层，设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下。

公开(公告)号：CN104867936B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510087879.2

申请日：2015-02-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  孙庚模 ,  李昭珩 ,  朴文镐 ,  李成秦

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124

Abstract: 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。

公开(公告)号：CN104867935B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510087849.1

申请日：2015-02-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  孙庚模 ,  李昭珩 ,  郑昊暎 ,  朴文镐 ,  李成秦

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。

公开(公告)号：CN104867932B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510087375.0

申请日：2015-02-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  孙庚模 ,  李昭珩 ,  郑昊暎 ,  朴文镐 ,  李成秦

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。

公开(公告)号：CN104867933A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510087377.X

申请日：2015-02-25

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 李瑛长 ,  孙庚模 ,  李昭珩 ,  朴文镐 ,  李成秦

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。